性价比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

2015-10-27 18:32:01来源: EEWORLD
    Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强,同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点,是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
 
SiC与Si性能对比
 
    简单来说,SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于Si),更宽的能带隙(3倍于Si),热导率高(3倍于Si),这些特性使得SiC器件更适合应用在高功率密度、高开关频率的场合。
 
SiC MOSFET性能明显优于Si MOSFET
 
1.极其低的导通电阻RDS(ON),导致了极其优越的正向压降和导通损耗,更能适应高温环境下工作。
2.SiC MOSFET管具有Si MOSFET管的输入特性,即相当低的极电荷,导致性能卓越的切换速率。
3. 宽禁带宽度材料,具有相当低的漏电流,更能适应高电压的环境应用。
 
SiC MOSFET与Si MOSFET在设备中应用对比
 
    世强市场经理宫一樵解释道,现代工业对电力电子设备提出了许多新的要求,要求体积小、功率大、发热量小、设备轻便等。面对这些新要求,Si MOSFET一筹莫展,而SiC MOSFET 就开始大显身手了。通过对SiC MOSFET管与Si MOSFET管相关电气参数进行比较,我们可以肯定SiC MOSFET将成为高压高频场合中应用的主流器件,可谓应用SiC MOSFET者得天下。 

   
 
    图1:SiC MOSFET与Si MOSFET在设备中应用的对比图
 
    低电阻特性,SiC具有低电阻特性,在同等电压和电流等级的MOSFET中,SiC MOSFET 的内阻要几倍小于Si MOSFET 的内阻,且SiC的模块体积小型化,有利于增加系统功率密度。
 
    高速工作特性,SiC MOSFET相对于Si MOSFET具有更高频率的工作特性,使系统中的电容电感器件体积小型化,减小系统整体体积,同时也降低了生产加工成本。
 
    高温工作特性,SiC MOSFET比Si MOSFET更适合应用于高温工作环境,原因在于一方面SiC MOSFET 自身损耗小,发热量小,自身温升相对较小,另一方面,热导率高3倍于Si MOSFET。

    
 
图2:SiC与 Si性价比对照图
 
    有了以上特性对比结果,我们可以清楚的认识到SiC MOSFET 性能全面优于Si MOSFET。虽然单个SiC MOSFET价格高于Si MOSFET,但是应用了SiC MOSFET 的系统设备整体价格低于应用Si MOSFET的设备,原因在于SiC MOSFET各项优秀性能使得设备中的电容容值减小、电感降低、散热片面积和体积减少以及设备整体体积和成本明显减小。

关键字:性价比

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2015/1027/article_26324.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
性价比

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved