Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能

2015-10-13 23:21:43来源: EEWORLD
节省空间的MOSFET可替换TO-253 (D2PAK)封装的器件,适用于通信、服务器、计算机、照明和工业应用
 
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封装的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一个实现低热阻的大尺寸漏极端子和在源极的Kelvin连接。超薄表面贴装PowerPAK 8x8封装符合RoHS,无卤素,完全无铅,可替换传统的TO-220和TO-263封装的产品,达到节省空间的效果。
 
PowerPAK® 8x8的结构定义一个源极pin脚为专用的Kelvin源极连接脚,把极驱动的返回路径从主要承载电流的源极端子上分开。这样就能防止在大电流路径上出现L x di / dt电压降,避免施加到E系列MOSFET上的栅极驱动电压出现跌落,从而在通信、服务器、计算机、照明和工业应用的电源实现更快的开关速度和更好的耐噪声性能。
 
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造,在10V电压下导通电阻低至0.135Ω,栅极电荷低至31nC。以及较低的栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是功率转换应用里MOSFET的优值系数(FOM)。这些数值意味着极低的传导和开关损耗,在功率因数校正、反激式转换器,服务器和通信电源的双开关正激转换器,HID和荧光镇流器照明,消费和计算设备电源适配器,电机驱动、太阳能电池逆变器,以及感应加热和焊接设备中可以实现节能。
 
这些MOSFET可承受雪崩和换向模式中的高能脉冲,保证极限值100%通过UIS测试。
 
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十六周。
 

关键字:Vishay

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2015/1013/article_26305.html
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