ADI推出SPDT开关为测试测量应用提供快速建立时间

2015-05-22 17:08:10来源: EEWORLD 关键字:ADI  SPDT开关
Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款专门用于9 KHz至13 GHz频段的吸收式单刀双掷(SPDT)开关HMC1118LP3DE,它具有48dB的高隔离度,在8 GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品,展现了硅工艺技术的固有优势,与传统的GaAs(砷化镓)RF 开关相比具有重大明显优势。 这些优势包括:建立时间比GaAs快100倍;提供强大的ESD(静电放电)保护(达到2000V,而GaAs仅为250V);能够扩展开关的低频端,比GaAs低1000倍,同时保持高线性度。
 
HMC1118LP3DE还提供4W的业界领先RF功率处理能力,在热切换工作模式下达到0.5W。 它的热切换功率处理能力超出了具有相同RF带宽的竞争器件的两倍,这使工程师能够在他们的应用和系统中提高RF功率,而不会产生器件损坏的风险。 HMC1118LP3DE专为高隔离度进行了优化,在最大13 GHz的宽工作频率范围内提供极其平坦的传递特性,同时保持最低9kHz的高信号保真度。 这些特性组合在一起,使得该开关非常适合要求苛刻的测试和测量、自动化测试设备、国防电子产品、无线通信应用,充当传统 GaAs开关的更低成本替代产品。

  • 查看产品页面并下载数据手册:http://www.analog.com/pr1505212/hmc1118
 
  • 通过在线技术支持社区EngineerZone®联系工程师和ADI产品专家:https://ezchina.analog.com/community/switches_multiplexers
 
  • 更多有关产品信息,请致电亚洲技术支持中心:400 6100 006, 或发送邮件至 china.support@analog.com , 也可点击ADI官方微博http://weibo.com/analogdevices ,或通过手机登录m. analog.com 或 www.analog.com了解最新产品等信息。
  • 更多ADI产品及应用视频,请访问:http://videos.analog.com/category/chinese/
 
 
HMC1118LP3DE SPDT开关的主要特性
 

  • 非反射式50欧姆设计
  • 正控制:0/+3.3 V
  • 低插入损耗: 0.68dB(8GHz时)
  • 高隔离度: 50dB(8GHz时)
  • 9KHz的低截止频率
  • 7.5微秒的快速建立时间(对于0.05 dB的最终RF输出电平)
  • 业界领先的高功率处理能力:
  •    35.5 dBm的通过路径
  •    27 dBm端接路径和热切换应用
·         高线性度:
  • P1dB: +37 dBm(典型值)
  • IIP3: +61 dBm(典型值)
  • ESD额定值: 2-KV HBM

定价和供货

产品 千片订量报价 封装
HMC1118LP3DE 6.18美元/片 3-mm × 3-mm
QFN SMT
 
 

关键字:ADI  SPDT开关

编辑:chenyy 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2015/0522/article_26118.html
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