Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率

2015-05-22 00:17:47来源: EEWORLD
    宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 5 月18 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条MOS电容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films vishay.com/ppg?61106">BRCP可处理高功率,工作电压高达100V,有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)两种小外形尺寸,能够在不牺牲性能的情况下,实现更小的产品设计。
 
    今天推出的这些器件具有高工作电压和5pF~100pF的电容,以及鲁棒的MOS结构,适用于LC、RC或LRC滤波,RF扼流,以及直流隔离和阻抗匹配。对于这些应用,BRCP可以采用多引线键合,最小容值的外形A、外形B的电容器分别有7个键合和15个键合。
 
    条形电容器的TCC低至±50ppm/℃,绝对公差只有±5%。器件具有优异的负载寿命稳定率,可以在-55℃~+150℃温度范围内工作。
 
    BRCP条形MOS电容器现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十周。

关键字:Vishay

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2015/0522/article_26115.html
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