英飞凌和松下联合开发GaN技术

2015-03-10 17:28:44来源: EEWORLD
    英飞凌松下日前签署一项合作,联合开发GaN器件,该产品是基于松下的增强型GaN材料技术与英飞凌的SMD封装技术相结合。

    日前,公司将率先推出600V 70mΩ的样片,采用DSO封装。

    作为下一代重要的半导体技术,GaN越来越受到重视,主要特点是具备高功率密度小尺寸的特点,另一点则是提高能源效率的一大关键。

    一般来说,基于硅上GaN技术的电力设备可用于广泛的领域,从高电压的工业应用,如服务器电源DC-DC转换的低电压应用等。

    IHS预测,GaN功率器件相关市场年复合增长率将超过50%,从如今的1500万美元至2023年的8亿美元。

关键字:英飞凌  松下

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2015/0310/article_25731.html
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