【解析】反激初级电流波形异常如何让解决?

2015-02-26 21:38:37来源: 互联网
  反激是一种常见的电源设计方式,反激是将初级取消激励时的次级输出,将存储的能量及进行释放。反激电源电路当中,同样涉及波形的问题,也会有异常情况出现,那么在反激电源中出现电流波形异常时,应该如何解决呢?

  图1

  如图1所示,变压器是反激变压器,变压器符号直接找的,所以同名端不对,但电路是对的。此反激电路用途为给次级的大电容充电,输入220v直流,需要给6800uF*4的电容充电到500v。电路由分立元件组成,由驱动芯片驱动开关IGBT,次级电流减小到0后再次开通IGBT。

  图2

  那么问题来了,图2中的初级电流波形太难看,开通和关断时冲击电流太大,且震荡严重,变压器参数初级100uH,匝数比1:3,变压器初级并联电容25nF,是如何造成的呢?  测试方法的方法是:次级开路,初级测并联电容,频率100kHZ。

  使用到的变压器绕发是:

  变压器初级6匝,初级6匝中间密绕,1.5mm特氟龙线;次级18匝,次级0.5mm特氟龙线绕满一层,贴近骨架在最里层。

  可以确定的是,波形是没有错误的,波形的异常是由IGBT拖尾造成的,换MOSFET即可。下面的表格中总结了MOSFET和IGBT的开关时间。

  表1 MOSFET开关时间

  表2 IGBT开关时间

  第一个表格是MOSFET的开关时间,第二个表格是IGBT的开关时间,只有关断延时时间长一些,其他三个时间差不多,那么这些关断延时是否对初级电流的波形产生了影响?实际上,这些时间是电流降到额定10%的时间,实际上还有一条细长尾巴,并且由于电流较小,所以这条尾巴就越发明显。

  在更换了MOSFET的型号之后,测量出来的波形如下图所示:

  图3

  从图3中我们可以看到MOS管开启和关断时震荡仍然很大,关断后的电流还有比较大的起伏。这是因为管子没有开起来的缘故,Vgs12V电阻6.2欧,按照pdf手册应该是可以开起来的,但是由于IC有内阻,导致Id没有升起来。

  有人也许会问,C内阻大点是应该发热比较严重,不至于引起这么大的震荡吧?

  电源是给高压大电容充电的,输入220V直流,初级峰值电流10A。电流在图上可以看到,振荡部分远大于10A,采样电阻10毫欧,震荡峰值有30-40A,所以要选这么大管子。

  如果是用几个微秒的扫描时间去测量一个工频电路基本都会显示类似的震档波形,其实这个波形是不真实的东西。只是一个无关紧要的瞬间断续电流的信号,如果用示波器两通道把这个电流波形与正弦电压波同时测量显示出来,就比较容易看明白了。

  本篇文章对反激电源中初级电流的波形异常进行了分析,并对波形异常的情况提出了几种解决方法。希望大家在阅读过本篇文章之后能够有所收获,并运用文章当中的知识解决遇到的问题。

关键字:反激初级  电流波形

编辑:探路者 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2015/0226/article_25629.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
反激初级
电流波形

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved