PI推出LinkSwitch-4开关IC 采用自适应基极-发射级驱动技术

2015-02-03 10:55:25来源: EEWORLD
    日前,Power Integration(以下简称PI)发布了第四代LinkSwitch开关IC,LinkSwitch是PI推出的初级侧调节开关IC,不过LinkSwitch-4是首款支持BJT(双极结型晶体管),从而大幅提高传统BJT存在的电源转换效率,以及改善次级击穿产生的可靠性问题。简单设计便可轻松满足美国DoE-6和欧盟CoC效率标准。

   
 
    如图所示,LinkSwitch-4实现了对BJT的基极与发射极的控制,加速BJT管的开关速度,实现了效率与可靠性的共同提升。采用LinkSwitch-4基极发射极开关BJT具有与MOSFET几乎一样的SOA。
 
    除此之外,LinkSwitch-4还内置快速主动启动,无需外部FET即可满足空载功耗<30mW,缩短了测试时间;SBD(补充基极驱动)高达80mA,这样就支持更大功率的BJT,同时效率提高带来发热量的降低,可支持更大功率的BJT。
 
    Power Integrations产品开发副总裁Mike Matthews表示:“LinkSwitch-4控制器所采用的自适应基极-发射极开关驱动技术可提升开关性能,并提供比现有BJT或MOSFET开关更高的效率。该技术还可消除与BJT相关的次级击穿,降低对电流增益变化的敏感度,从而允许使用成本极低的BJT。自适应基极-发射极开关驱动技术不仅通过大幅优化BJT开关特性来提供设计和制造过程中BJT晶体管的选择灵活性,而且还可极大提高基于BJT的方案的可靠性。”
 
    LinkSwitch-4 IC适用于手机/无绳电话、PDA、MP3和其他便携式音频设备的充电器及适配器等应用,它提供SOT-23-6和SO-8两种封装。该器件基于10,000片的订货量单价为每片0.16至0.25美元。Power Integrations网站上提供了数据手册供下载使用:http://ac-dc.power.com/products/linkswitch-family/linkswitch-4。

关键字:PI

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2015/0203/article_25543.html
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