德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET

2015-01-22 17:08:43来源: EEworld电子工程世界
     采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件。
 
    2015年1月22日,北京讯 ---日前,德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。
 
    CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率,同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如:25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大导通电阻,而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的最大导通电阻。 
 
    TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与面向DC/DC控制器应用的LM27403配合使用,从而构成一套完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720等TI热插拔控制器配套使用。阅读 《稳健可靠的热插拔设计》,可进一步了解如何将一个晶体管选用为传输元件,以及怎样在所有可能的情况下确保安全运作。
 
    如下是TI 推出具有业界最低导通电阻的NexFET™ N沟道功率MOSFE。
 
新型 NexFET 产品及主要特点



 供货情况、封装和价格
    目前,FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 产品可通过 TI 及其授权分销商批量采购。

关键字:德州仪器  推出  沟道  功率

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2015/0122/article_25380.html
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