Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET

2015-01-22 16:58:22来源: EEworld电子工程世界
    其具有与E系列600V和650V MOSFET相同的优点:高效率和高功率密度。


 
 
    宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 1 月22 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件,这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等,可帮助客户达到更高的性能/效率标准,例如某些高性能消费类产品、照明应用,以及ATX/银盒PC开关电源所要求的严格的80 PLUS转换效率标准。
 
    今天推出的这些500V MOSFET采用第二代超级结技术制造,为基于标准平面技术的Vishay现有的500V D系列提供了高效率的补充产品。器件的电流从12A到20A,具有190mΩ~380mΩ的低导通电阻和22nC~45nC的超低极电荷,这种组合为功率转换应用提供了十分有利的优值系数(FOM)。
 
    器件的低导通电阻还有助于提高功率密度,同时其更快的开关速度可提高如功率因数校正(PFC)、双开关正激转换器和反激式转换器等典型硬开关拓扑的效率。
 
    器件符合RoHS,可承受雪崩和换流模式里的高能脉冲,并且保证限值通过100%的UIS测试。
 
器件规格表:



    新的500V功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十六周到十七周。

关键字:vishay  发布  采用  超级

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2015/0122/article_25379.html
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