Cree将GaN技术引入电源管理领域

2013-08-07 11:44:29来源: EEWORLD

Cree公司日前与Transphorm签署了一项非独家全球专利许可协议,该协议包括GaN(氮化镓) HEMT和CaN肖特基二极管在电源转换领域的专利授权。

Cree公司专注于LED照明及GaN射频收发器技术,而Cree表示,GaN技术未来可用于1.2kV电源转换器以及600V高性能电源转换单元等。

利用GaN的HEMT(高电子迁移率晶体管)比传统硅功率器件更快速更高效,起初是由富士通发明用于解决射频功率问题。

“在过去的17年中,Cree的多项发明促进了氮化镓HEMT器件的实现。”Cree公司共同创始人兼CTO John Palmour表示,“这些专利将有助于他人制造GaN功率管理设备。”

“Cree的专利许可涵盖了氮化物材料,HEMT和肖特基二极管的设计和加工技术的各个方面。虽然目前GaN HEMT器件已经广泛在射频市场中使用,但为了随着Transphorm及其他公司的进入,GaN将会广泛应用于电源转换市场。”Cree发言人称。

Transphorm目前已经拥有一系列的分立GaN HEMT器件、肖特基二极管以及三项370V电机驱动器。

关键字:Cree  GaN

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2013/0807/article_17596.html
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