感知TI最新电源IC技术,感受真实世界

2011-05-18 17:09:15来源: EEWORLD

  “眼睁睁地看着手机燃尽最后一丝电池,屏幕慢慢暗淡下去,于是你尝试着不断按开机键,期待电池能够再多撑一会。”这样的情景,你是不是有些似曾相识?也许此时,你才能更深刻感受到电源管理的重要作用。

  其实,生活中类似的情景岂止一例。“Feeling the Real World”——TI在4月21日于天津举办的模拟技术研讨会上,细细讲述了如何应用多种技术来加强你的产品用户体验。

  90亿片电源IC



  在模拟产品中,说电源IC处于重中之重似乎一点儿也不为过。“只要是电子产品,就需要电源,”德州仪器(TI)市场推广经理李志林告诉EEWORLD,据2010 年7 月Databeans统计,全球现有市场容量为90 亿片电源IC,复合年增长率为11%。随着通信、工业等领域的不断发展,负载点电源的应用越来越多。

  对通信而言,负载点电源需要更高能效支持更高电流,更高的功率密度以及更灵活的功率控制。而与之不同的是,工业系统最重要的要求是:高可靠性,因而负载点电源需要更宽泛的输入电压范围和更快的瞬态响应。随着技术的发展,对电源的要求越来越高。为此,李志林为我们历数了近期TI电源IC领域的几点“创新”。

  创新的“NexFET”创新

  与以往发布的产品系列不同,TPS56是TI转换器全新的产品系列,其内部集成了TI的专有技术NexFET ,能够实现比传统TPS54系列更高的电流,达到15与25安培的级别。

  参考文章:小体积搏高效率 TI新推集成FET降压转换器
       http://www.eeworld.com.cn/dygl/2011/0415/article_5133.html

  在5 mm x 6 mm x 1.5 mm的封装里,实现高达25安培的电流,这得益于TI新的MOS管工艺————NexFET,它是CICLON 为TI带来了其最重要的电源管理方面的创新性成果,该技术将直角通电法与横向功率MOSFET结合起来。它具有符合工业标准的封装尺寸,不仅能够提供一个较低的开态电阻(onresistance),而且只需要极低的栅极电荷,这对于现有的芯片平台而言在以前都是不可能实现的。

  NexFET 技术无论对于N沟道还是P沟道的功率MOSFET器件,均能获得较高的性能。设计师们因此能够在其设计中,实现从轻负载到满负载的条件下,均能达到90%的电源效率,并且具有较高输出电流和较低占空比;这在分离式设计中,代表了一项重大突破。

  以下为效率展示图:






  除 SWIFT 转换器的强电流性能之外,TI去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率块还可在更强电流下实现高效率的多相位负载点设计。小巧的 5 毫米 x 6 毫米堆栈型 MOSFET 采用接地引线框架 SON 封装,支持高达 1.5 MHz 的频率,可降低热阻抗并简化布局。CSD86350Q5D在 25 A 电流下效率超过 90%,且还能与 TI 的 TPS40140 堆栈控制器相结合,在保持整个负载高效率的同时,支持多相位设计;其电流可扩展至 50 A、100 A 以及更高。

[1] [2] [3]

关键字:负载点电源  能效  功率密度  功率控制  电压  通讯

编辑:汤宏琳 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2011/0518/article_5469.html
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