Vishay推出100V Trench MOS势垒肖特基整流器

2010-01-21 15:32:09   来源:EEWORLD   

关键字:Vishay TMBS 肖特基 整流器


      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。

         

      今天发布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封装的VSSA310S和VSSA210,以及采用DO-214AA(SMB)封装的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封装的厚度分别只有2.29mm和2.44mm。

      由于器件具有0.56V的极低典型前向电压降和优异的雪崩容量,可在续流二极管、DC-DC转换器,以及开关电源(SMPS)、机顶盒和消费电子应用中起到减少功率损耗、提高效率的作用。

      新款整流器的最高结温为+150℃,潮湿敏感度等级为1,符合per J-STD-020规范,无铅最高峰值为260℃。器件适合自动放置,符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC。

         


 

相关阅读
Vishay发布三款新型表面贴装共模扼流圈 2011-11-30
Vishay发布业内标准遥控接收器 2011-11-30
Vishay Siliconix推出扩充PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET家族 2011-11-15
Vishay推出新款4线总线端口保护阵列 2011-11-07
Vishay发布寿命长达2百万次、适用于极端环境的新款面板式电位计 2011-11-07
Vishay推出超小SMD封装的功率型Mini LED 2011-10-27
Vishay发布业内首款采用表面贴装封装的CAT IV高压隔离光耦 2011-10-24
Vishay Siliconix 再次刷新业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET记录 2011-10-21
Vishay Siliconix发布6款新型低电压模拟开关 2011-10-13
Vishay Siliconix发布新款E系列MOSFET器件 2011-10-12
Vishay Siliconix的SiR662DP 60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET荣获Top-10 DC/DC电源产品奖 2011-10-11
编辑:于丽娜
本文引用地址: http://www.eeworld.com.cn/dygl/2010/0121/article_2059.html
[发表评论]
[加入收藏]
[告诉好友]
[打印本页]
[关闭窗口]
[返回顶部]
[RSS订阅]

小广播

最热点击

专栏

向农,EEWORLD副总编。被英特尔董事长贝瑞特称为“中国可与之对话的两名记者之一”

【详细】

总编随笔
汤宏琳,人皆称为“汤汤”,电子工程世界高级编辑。随着EEWORLD一起成长。

【详细】

汤汤手记
今年,是中国集成电路产业丰收的一年,相比较往年都有大幅提升。

【详细】

凯哥博客

论坛精华

精选博文