英飞凌和飞兆半导体达成侵权诉讼和解协议

2009-12-30 17:08:52来源: EEWORLD


      英飞凌科技股份公司今天宣布,公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月,英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的14项专利。

      通过广泛的半导体技术专利交叉许可,双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议,飞兆半导体将向英飞凌支付许可费,但协议的具体条款和条件保密。

      英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院,双方已经达成和解,并将申请撤诉。

      作为半导体行业的全球领袖,英飞凌目前正在和多家半导体公司进行专利许可谈判。英飞凌认为,这些谈判对持续保护其知识产权和商业利益至关重要。

关键字:英飞凌  飞兆半导体  侵权  和解

编辑:于丽娜 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/2009/1230/article_1986.html
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