Qspeed硅二极管：满足高性能与低成本的双重要求 (1)

      Qspeed半导体自2006年推出第一款产品之后，就以极其迅猛的速度在发展，抢夺电源分立器件领域市场。Qspeed半导体总裁暨执行长Mike Heitzman凭借其在摩托罗拉半导体以及安森美半导体长达25年的从业经验，以及个人对于电源节能管理的丰富经验，成功带领Qspeed逐渐走向成熟的发展之路。Qspeed半导体针对交直流转换器（AC-to-DC）、逆变器（Inverter）、马达控制（Motor Controls），以及其他150W以上的电源应用，提供各种高效率电源二极管（Power Diode）。全球销售与营销据点遍布亚洲、北美洲及欧洲，在亚洲特别是大中华区是最主要的市场。

      在电源二极管的产品中，之前Qspeed已经推出了X系列与Q系列的产品，其中Q系列超低反向恢复硅二极管产品还获得了《Electronic Design》杂志“2008年最佳电源半导体”产品奖项。目前又推出了更高性能的H系列电源二极管。新款的H系列也采用Qpeed专利的硅组件技术，在器件结构方面将传统的PN结与肖特基接触相结合，该结构也是Qspeed公司的专利技术。

      目前，在电源产品设计中，工程师的设计方向无外乎以下几点：更高的效率，更高的密度，更低的成本以及更高的可靠性。在提高效率方面，许多的产品会采用SiC的材料来做器件，电源效率是得到了提高，但由于SiC材料昂贵的价格，会增加成本。同时，为了达到更高的电力密度，工程师们会提高器件的开关速度，但是无形中又使得EMI现象变得更加严重。有的电源设计者为了降低成本，选用便宜的器件，但是电路的效率达不到，只能借助增加额外的补偿电路，反而得不偿失。为了提高可靠性，控制器件的温度与散热，就需要减小电路或者加大元器件，这么做同样也会增加成本。所以，设计理想的电源产品，无疑要对上述几个方面做一个折中的方案。

      Qspeed的电源二极管的产品正是对电源效率、密度、成本以及可靠性方面做了很好的平衡。Qspeed的电源二极管产品高性能特色归功于在传统材料与工艺基础之上的革新：基于Si材料的技术，拥有更低的反向恢复电荷，快而软的恢复，极短的反向恢复波形。低发热以及可降低电磁干扰（EMI）。器件的性能达到前所未有的提升。这意味着客户可以从超过50年的工业硅晶圆工艺中受益，获得更低成本、更高可靠度。