英飞凌推出高性能金属氧化物半导体场效应晶体管

      19日在中国国际电源展览会上，英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

      C6系列是英飞凌推出的第五代CoolMOS™金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。英飞凌在CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP等前代系列产品的基础上，进一步提高了开关速度并降低了导通电阻。CoolMOS™ C3是一个应用非常广泛的产品系列，而CP系列可满足需要最高开关速度和最低导通电阻的各种专门应用的需求。

      最新推出的600V CoolMOS™ C6器件，融合了CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP两个产品系列的优势。例如，电源厂商可受益于超结CP系列的优势——包括极低电容损耗和极低单位面积导通电阻等，设计出更高效、更紧凑、更轻更凉的电源产品。与此同时，开关控制性能和抗电路板寄生电感和电容特性性能也得到大幅提升。相对于CP系列的设计而言，CoolMOS™ C6简化了PCB系统布局。具体而言，这意味着在CoolMOS™ C6系列内，栅极电荷、电压/电流斜率和内部栅极电阻达到了优化和谐状态，即使低至零欧姆的栅极电阻，也不会产生过高的电压或电流斜率。此外，C6器件具备出色的体二极管硬换流抗受能力，因此可避免使用昂贵的快速体二极管组件。

      英飞凌认为，前代产品CoolMOS™ C3的易用性和高能效特性，加上更高的轻载效率，将使CoolMOS™ C6系列成为硬开关应用的基准。另一方面，存储在输出电容中的极低电能和出类拔萃的硬换流耐受性，使该器件成为谐振开关产品的理想选择。

      CoolMOS™ C6器件可降低设计难度，非常适用于各种高能效应用，例如面向个人电脑、笔记本电脑、上网本或手机、照明（高压气体放电灯）产品以及电视机（液晶或等离子电视机）和游戏机等消费电子产品的电源或适配器。英飞凌的新一代功率半导体产品，能够让客户开发出符合当今能效要求和政府法规的高度可靠的终端产品。

      英飞凌科技股份公司副总裁兼工业及多元化电子市场业务部总经理Andreas Ur-schitz指出：“全新推出的CoolMOS™ C6系列彰显了英飞凌在不牺牲系统设计简易性的同时进一步提升诸多应用的能源效率的战略。依托立足于系统优化创新技术、具备更高能效和可靠性的CoolMOS™ C6系列功率半导体器件，英飞凌巩固了自己在电源管理市场的领导地位。”