Vishay扩展Gen III TrenchFET功率MOSFET

      Vishay推出新型25V N信道组件SiR476DP，扩展其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的组件而言，该组件具有最低导通电阻以及导通电阻与闸极电荷乘积。

      SiR476DP在4.5V闸极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ，在10V闸极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与闸极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值(FOM)，在4.5V时为89.25nC。

      该公司表示，与为实现低导通损失及低开关损失而最佳化的最接近的同类竞争组件相较，这些规格意味着在4.5V及10V时导通电阻分别低了32%与15%，FOM低了42%。更低的导通电阻与门极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。

      Siliconix SiR476DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR-ing应用中作为低阶MOSFET。其低导通及低开关损失将使稳压器模块(VRM)、服务器及使用负载点(POL)功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。

      此外，Vishay还推出新型25V SiR892DP及SiR850DP N通道MOSFET。这些组件在4.5V时提供4.2mΩ与9mΩ的导通电阻，在10V时为3.2mΩ及7mΩ，典型闸极电荷为20nC及8.4nC。所有这三款新型功率MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装类型。这些组件无铅(Pb)、无卤素，并符合RoHS规范。

      SiR476DP、SiR892DP及SiR850DP以提供样品及量产。