Vishay发布新款超薄稳压器适用于便携产品

2008-10-13 12:05:40   来源:互联网   

关键字:Vishay LDO 稳压器

      Vishay Intertechnology推出新型SiP21110 250mA LDO稳压器,新组件采用可节省空间的超薄SOT23-5L封装,可在1mA负载时提供35μA的低典型接地电流,有助于延长电池供电系统及携带型电子设备中相邻两次充电之间的电池运作时间。

      新组件应用领域包括手机与无线手持终端、PDA、数字相机、寻呼机、无线调变解调器及掌上型医疗设备。SiP21110具有可透过外部电阻网络在1.3V至5V之间变化的可调输出电压,以及+25℃时1.0%的高输出电压精度。

      其设计架构可利用超小的低ESR陶瓷输出电容器实现稳定的运作,从而缩减板面空间以及降低组件成本。其它SiP21110特性包括出色的瞬态响应、具有快速恢复时间的低峰值到峰值瞬态输出电压,以及高PSRR,同时电流损耗最低。

      在为启动时具有高突波电流的系统提供330mA的典型峰值电流的同时,该组件可保持稳压。在启动过程中,主动下拉电路可改进输出瞬态响应及稳压。在关断模式下,透过利用100Ωn通道MOSFET将输出与接地装置相连,该输出可自动放电。

      为实现安全运作,该组件具有热过载(典型值+160℃)及内建短路保护(典型值500mA),+85℃时最高关断电流为1μA。SiP21110在-40℃~+125℃的结温范围内运行。

 

相关阅读
Vishay发布三款新型表面贴装共模扼流圈 2011-11-30
Vishay发布业内标准遥控接收器 2011-11-30
Vishay Siliconix推出扩充PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET家族 2011-11-15
Vishay推出新款4线总线端口保护阵列 2011-11-07
Vishay发布寿命长达2百万次、适用于极端环境的新款面板式电位计 2011-11-07
Vishay推出超小SMD封装的功率型Mini LED 2011-10-27
Vishay发布业内首款采用表面贴装封装的CAT IV高压隔离光耦 2011-10-24
Vishay Siliconix 再次刷新业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET记录 2011-10-21
Vishay Siliconix发布6款新型低电压模拟开关 2011-10-13
Vishay Siliconix发布新款E系列MOSFET器件 2011-10-12
Vishay Siliconix的SiR662DP 60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET荣获Top-10 DC/DC电源产品奖 2011-10-11
编辑:冀凯
本文引用地址: http://www.eeworld.com.cn/dygl/2008/1013/article_693.html
[发表评论]
[加入收藏]
[告诉好友]
[打印本页]
[关闭窗口]
[返回顶部]
[RSS订阅]

小广播

最热点击

专栏

向农,EEWORLD副总编。被英特尔董事长贝瑞特称为“中国可与之对话的两名记者之一”

【详细】

总编随笔
汤宏琳,人皆称为“汤汤”,电子工程世界高级编辑。随着EEWORLD一起成长。

【详细】

汤汤手记
今年,是中国集成电路产业丰收的一年,相比较往年都有大幅提升。

【详细】

凯哥博客

论坛精华

精选博文