Wanlass：CMOS技术提出者

　　今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。自CMOS技术首次提出到现在，已经有四十多个年头了，CMOS技术对今日集成电路的发展发挥着如此重大的作用，但是当年首次提出CMOS技术的Frank M. Wanlass.和C.T.Sah，却随着时间的流逝，而渐渐被人遗忘。

　　虽然， CMOS技术是由Frank M. Wanlass和C.T.Sah共同提出的，但是对其贡献最大的还属Wanlass。

　　Wanlass曾获得美国盐湖城犹他大学的博士学位，毕业后于1962年加入了仙童半导体公司，他被安排在由C. T. Sah领导的固态物理组，当时Wanlass对FET场效应晶体管非常感兴趣，这也是缘于他在读博士期间曾在RCA工作的缘故。

　　当时，Wanlass的研究工作是仙童142号项目“平面控制设备”（Surface Controlled Devices）的一部分。在不到六个月的时间里，Wanlass就设计了许多分立的N-MOS和P-MOS设备，以及用P-MOS设备制成的简单的MOS集成电路。但是所有的N-MOS都无法正常工作，只有少量的P-MOS能够工作。Wanlass发明额度设备的主要问题和RCA的设备的问题是一样的，即：不稳定性，同时还需依赖铝合金流程上的阀电压和夹止电压。

　　在1963年的固态电路大会上，Wanlass提交了一份与Sah合著的关于CMOS的构想报告，同时还用了一些实验数据对CMOS技术进行了大概的解释，同时，关于CMOS的主要特征也基本确定：“静态电源功率密度低；工作电源功率密度高，能够形成高密度的场效应真空三极管逻辑电路。”简而言之，CMOS的最大特征就是低功耗。

　　在1963年的6月18日，Wanlass为CMOS申请了专利，但是几天之后，他就离开了仙童，因为仙童宣布在他还没有确切的实验数据之前，公司没有计划采用新技术，所以他没有机会去完成这一项目。

　　Wanlass当初提出CMOS，只是指一种技术、一种工艺，而不是具体的某一种产品，这一制造工艺的最大特点就是低功耗，利用CMOS工艺可以制造出多种产品。

　　1966年，美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；1974年，RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；1981年， 64kb CMOS SRAM问世，之后，人们利用CMOS工艺制造出越来越多的产品。

　　所谓CMOS，就是指互补金属氧化物，由PMOS管和NMOS管共同构成，它的最大特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截止，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。除了功耗低，CMOS还具有速度快、抗干扰能力强、集成密度高、封装成本逐渐降低等优点。

　　基于CMOS的这些优点。被广泛运用于各个领域，除了计算机领域，现在CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件，尤其是片幅规格较大的单反数码相机。

　　根据摩尔定律，每18个月集成电路芯片上所集成的电路的数目就会翻一番，相应的功耗也会翻一番，因此功耗现在已经成为集成电路发展的一大障碍，而CMOS的最大特点就是低功耗，因此CMOS技术的提出与发展，解决了集成电路发展的这一障碍，推动集成电路不断向前发展。