新型电机驱动器EB01

2006-05-07 15:49:35来源: 国外电子元器件

1 主要特点

EB01是APEX公司推出的一种新型电机驱动器,它内含三个独立的带驱动器的IGBT半桥,该驱动器很容易和CMOS或HCMOS逻辑电平接口,非常适合于基于数字或DSP控制的电机驱动系统。其主要特点如下:

●兼容PWM的频率高达30kHz;

●电机电压控制范围为50~500V;

●连续输出电流为20A;

●具有HCMOS兼容的施密特触发逻辑输入;

●对于负电流传感,设有独立的发射极输出;

●带有休眠模式;

●具有很宽的门驱动电压及逻辑电源电压。

EB01主要用于数字控制的大功率电路。如有刷电机驱动的三轴向位移、三相无刷直流电机的驱动、三相交流电机的驱动以及三相步进电机的驱动等。

2 引脚说明及器件参数

2.1 引脚说明

图1所示是EB01电机驱动器的内部结构和引脚排列。各引脚的功能说明如表1所列。

表1 引脚(信号)功能

管  脚 符  号 功    能 管  脚 符  号 功    能
1 Vcc3 门电源3 13 HV1 高电源电压1
2 Lin3 代驱动逻辑输入3 14 OUT1 部分1输出
3 Hin3 高驱动逻辑输入3 15 E1 部分1发射极
4 Vdd 逻辑 16 HVRTN1 部分1地
5 Vcc2 门电源2 17 HV2 高电源电压2
6 Lin2 低驱动逻辑输入2 18 OUT2 部分2输出
7 Vss 逻辑地 19 E2 部分2发射极
8 Hin2 高驱动逻辑输入2 20 HVREN2 部分2地
9 Vcc1 门电源1 21 HV3 高电源电压3
10 Lin1 低驱动逻辑输入1 22 OUT3 部分3输出
11 SD 关断逻辑输入 23 E3 部分3发射极
12 Hin1 高驱动逻辑输入1 24 HVRTN3 部分3地

2.2 参数

EB01的主要参数如下:

●高电源电压HV:50~500V;

●输出电流:脉冲电流为28A;

连续电流为20A;

●驱动电源电压VDD:10~20V;

逻辑电源电压Vdd:4.5~20V;

●逻辑输入电压:-0.3~+0.3V;

●内部功耗:179W;

●管壳热阻:2.1℃/W;

●焊接温度(10s):300℃;

●结点温度:150℃;

●贮存温度范围:-65~150℃;

●工作温度范围为:-25~85℃。

3 设计说明

3.1 输入

EB01的每个逻辑电平输入分别用于控制各自半桥的IGBT,高电平时打开IBGT,低电平时关断IGBT。当EB01的SD端为高电平时,将关断所有的IGBT。

EB01的所有输入均为施密特触发电路,高阈值为2Vdd/3。由于逻辑电路和EB01的VDD是相同的,因此,EB01和CMOS或HCMOS的接口非常方便。

如果在TTL电路的逻辑电源上加一上位电阻,也可用来驱动EB01,这样,EB01的Vdd和TTL门电路的逻辑电源也是一致的。所有输入端的输入阻抗均为50kΩ,因此,如果一个输入开路,那么将会产生一个很高的射频噪音并打开一个IGBT。

3.2 输出

EB01的每一部分输出均由一个并关模式的IGBT半桥组成,以对每一部分提供独立的HV电源、发射极和HV地线。

IGBT的额定电流日20A。饱和电压日2.7V。

每个IGBT都反向并联一个高速二极管。在用于开、关感性负载时,这个二极管会导通,电流为20A时,其导通压降为2.7V。

3.3 接地和旁路

在任何大功率的PWM系统中,接地和旁路都是非常重要的。由于EB01在100ns的上升和下降时间里可产生20kW的脉冲,因此,不正确的接地和旁路会引起严重的传导和辐射电磁干扰。

为了减小传导EMI,EB01提供了独立的电源地,名称为HVRTH。它和逻辑地互相隔离,这种隔离消除了大电流回路地。但是,在地线间高于5V的偏置电压会破坏EB01的正常工作。因此,设计时不可在逻辑地和电源地之间连接背对背的大电流二极管。这不仅可实现地线间的距离,同时也可使偏置电压保持在安全范围内。另外,系统中所有地均应在一点连接。

为了减小辐射EMI,可在HV和HVRTV间接一个400μF或更大的电容。这个电容应是具有ESR的高频高解电容,频率应高达20kHz,并应尽可能靠近EB01安装。同时,还应用一个低ESR的1μF或更大点的陶瓷电容旁路。

为了减小辐射噪音,必须减小回路高频电流的面积,因此应在每个HV和HVRTN间旁路一个1μF的陶瓷电路。

3.4 短路保护

IGBT的打开延时很短中,关断延时却很长。与别的半导体器件不同的是,它的关断延时不能通过电路的设计而改善。因此,如果打开半桥电路的一个IGBT输入,同时关断此半桥的另一个IGBT,那么,就会有一段时间差,此时如果两个IGBT均打开就会短路掉IGBT电源,这将引起很高的功耗和电磁干扰。为了避免这种干扰,在打开一个IGBT时就必须延长至另一个IGBT被关断后。EB01至少需要1.5μs的延迟。也就是说,相同半桥的Hin被打开必须位于Lin被关断延时1.5μs之后。

3.5 SD端的使用

由于FB01在SD端为逻辑“1”时将关断所有的IGBT,因此利用这个输入端可在设计温度传感或电流传感电路时,使其在检测到不安全的因素及在正常输入逻辑或DSP编程出错时关断IGBT。

3.6 起动

由于相同的逻辑输入必须是在SD端变低1μs后才有效。因此,为了打开IGBT,应在高边的IGBT被打开前,先打开相同半桥低边的IGBT至少2μs以给自举电容充电。但是,如果输出通过负载接地,那么,正电源端的IGBT在打开时应无需首先打开负电源端的IGBT。

3.7 散热

EB01必须安装足够的散热器以耗散掉179W的功率,从而保持25℃的管壳温度,以使EB01的三部分以最大电流正常工作在500V、20A、30kHz的情况下。EB01的功耗主要由传导功耗(每半桥54W)和开关功耗(每半桥4W)所组成。传导功耗和Iout成正比;开关功耗和HV电源电压以及开关频率成正比。

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/designarticles/sensor/200605/1540.html
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