串行实时时钟芯片DSl302程序设计中的问题与对策

2006-05-07 15:50:19来源: 电子技术应用

   摘 要: 指出了串行实时时钟芯片DSl302程序设计中几个易被疏忽而导致错误的问题,分析了问题的原因,并给出了解决问题的方法。

    关键词: 串行时钟 程序设计 问题 原因 解决方法

    美国Dallas公司推出的串行接口实时时钟芯片DSl302可对时钟芯片备份电池进行涓流充电。由于该芯片具有体积小、功耗低、接口容易、占用CPU I/O口线少等主要特点,故该芯片可作为实时时钟广泛应用于智能化仪器仪表中。

    笔者在调试中发现在对DSl302编程中有几个问题易被疏忽而导致错误,现提供给读者参考。

    t1.gif (5133 字节)1 读操作出现的错误

    按照参考文献[2]的读操作程序框图和参考文献[1]、[2]所叙述的可知:单字节读操作每次需16个时钟,地址字节在前8个时钟周期的上升沿输入,而数据字节在后8个时钟周期的下降沿输出。据此结合图1的硬件连接图编制出了如下的单字节读程序:

    DS_READSETB P1.2 ;令=0

    CLR P1.1 ;令SCLK=0。

     CLR P1.2 ;令=1,启动芯片。

    LCALL DS_WSUB ;写8位地址。

    LCALL DS_RSUB ;读出8位数据。

    RET

    DS_WSUBMOV R7,#08H

    WL00P RRC A ;A为地址字节。

    MOV P1.0,C

    SETB P1.1 ;在时钟上升沿

    NOP ;输入地址字节。

    CLR P1.1

    DJNZ R7WL00P

    RET

    DS_RSUBSETB P1.0 ;为读数据作准备。

    MOV R7#08H

    RL00P:SETB P1.1

    NOP

    CLR P1.1 ;在第9个正脉冲的下

    MOV C,P1.0 ;降沿开始输出数据。

    RRC A ;A中为读出的数据。

    DJNZ R7,RL00P

    RET

    若使用如下程序对DSl302的RAM1其内容为5AH进行读操作

    READ:MOV A#11000101B ;RAM1单元的读地址。

    LCAll DS_READ ;调用读子程序。

    则程序执行后A中的数据为2DH,显然读出的数据不正确。若再使用一条RL A指令调整后,则A中为5AH,结果才正确。由此说明:使用上述程序读出的RAM1单元中的第0位数据实为第1位数据,读出的第7位数据实为第0位数据。

    经笔者仔细研究时序图和多次试验得知,问题的原因在于:对于读操作时序,在SCLK出现第8个正脉冲时,上升沿输入地址字节的最后一位数据,而在此正脉冲的下降沿就要输出数据字节的第0位数据。然而笔者的程序中是在第9个正脉冲的下降沿才误认为输出了数据字节的第0位数据,此位数据事实上是第二个下降沿输出的,故实为数据字节的第1位数据。经笔者实验:只要RST保持为高电平,如果超过8个下降沿,它们将重新从第0位输出数据位,因程序中输出的最后一位数据位,是9个下降沿输出的数据位,故实为数据字节的第0位数据位。

    由此可见,单字节读操作的时序图如改为图2所示时序图,则读者较容易理解可避免发生上述编程错误。

    t2.gif (8203 字节)只要将上述的DS_RSUB子程序改为如下的子程序即可解决上述问题:

    DS_RSUBl:SETB P1.0 ;为读数据作准备

    MOV R7,#08H

    RL00P: CLR P1.1 ;SCLK第8个正脉冲的

    MOV C,P1.0 ;下降沿开始输出数据。

    RAC

    SETB P1.1

    DJNZ R7,RL00P

    RET

    2 禁止涓流充电出现的错误

    涓流充电寄存器(TCR)控制着DSl302的涓流充电特性。据参考文献[1]、[2]介绍,寄存器的位(TCS)4~7决定着是否具备充电性能。仅在1010编码的条件下才具备充电性能,其它编码组合不允许充电。位2和3(DS)则在之间选择是一个还是两个二极管串入其中。如果编码是01,选择一个二极管;如果编码是10,选择两个;其它编码将禁止充电。该寄存器的0和1位(RS)用于选择与二极管相串联的电阻值,其中编码01为2kΩ;10为4kΩ;11为8kΩ;而00将不允许充电。笔者编制了如下的允许涓流充电的控制程序(选择一个二极管,充电限流电阻为4kΩ):

    SETB P1.2 ;令=0

    CLR P1.2 ;令SCLK=0

    CLR P1.2 ;令=1

    MOV A#90H ;TCR的写地址

    LCALL DS_WSUB

    MOV A#10100110B ;TCR的命令

    LCALL DS_WSUB

    用万用表串入与可充电池之间,执行程序后,则有电流流过万用表,表示充电正常。笔者通过将上述程序的第6句改为:MOV A,#10100010B,即置DS为00来禁止涓流充电器工作。执行程序后,在与电池之间串入万用表,则仍有电流流过,表示尚未禁止充电。若将第6语句改为:MOV A,#10101110B,即置DS为11,执行上述程序后情况仍如此。若将第6语句改为:

    MOV A,#01010110B 即TCS≠1010

    或: MOV A,#10100100B 即RS=00则充电被禁止。

    b1.gif (5294 字节)笔者误认为芯片损坏,换上另一新购置的芯片,结果仍如此。随即笔者取下图1所示电路中的可充电池,换上 一标称为10kΩ的电阻对芯片进行了测试,测试结果如表1所示=5V。

    由此可见,当涓流充电控制寄存器中的DS位为00和11时并不能禁止充电,而是选择了一个二极管充电,这说明参考文献中介绍的有误。若要想禁止充电器充电,应将第6句改为:MOV A,#0101XX00B 即TCS≠1010,RS=00,这样,就能双保险地禁止充电。

    3 受干扰时钟/日历信息出现的错误

    笔者将DSl302应用于某产品中,发现系统受到干扰时,有时其时钟停振不能正常工作,此时的时钟/日历信息也被修改。

    经分析得知:系统受到干扰程序飞跑,在看门狗复位前,CPU正好执行写程序将写保护寄存器的最高位置0为允许写(实际上,在系统校时程序之后已将其置为1禁止写),修改了时钟/日历信息且使秒寄存器的最高位置1,致使时钟停振出现错误。

    为避免此类错误的产生,笔者采用的方法是:在写程序中增加了某一检测条件,此条件为系统中某一口线上的电平,低电平条件满足。只有在实时校时过程中,才通过手动使此口线为低电平,实时校时过程完成后,又通过手动使此口线为高电平。这样只有实时校时过程中,才允许修改时钟/日历信息,因此起到了时钟/日历信息的写保护作用。

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/designarticles/packing/200605/3574.html
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