TMS320VC33并行自举的两种巧妙实现方法

2007-03-09 19:03:27来源: 互联网
随着信息技术的飞速发展,数字信号处理器(DSP)得到了广泛的应用。现今高速DSP的内存不再基于Flash结构,而是采用存取速度更快的RAM结构。DSP掉电后,其内部RAM中的程序和数据将全部丢失,所以在脱离仿真器的环境中,通常做法是事先将程序的可执行代码存入片外的EPROM或Flash中。DSP芯片每次上电后自动进行自举,也就是常说的BOOTLOADER。DSP会通过固化在片内(ROM)的这段BOOTLOADER程序,将片外的EPROM或Flash中可执行代码通过某种方式搬移到片内或片外的RAM存储区,并自动执行。常用的自举方式有并行和串行自举两种.将可执行代码烧录到外部存储器,传统的做法是通过编程器完成。先利用CCS软件中的hex.exe文件将要写入的*.out文件转换成编程器能够识别的*.hex文件格式,再用编程器将转换后的*.hex文件烧录到外部EEROM中。然而,随着芯片制造工艺的不断提高,存储器正向小型化、贴片式的方向发展,很多贴片封装的存储器很难用编程器编程,更不可能频繁插拔。与传统的EEROM相比,Flash存储器具有支持在线擦写且擦写次数多、速度快、功耗低、容量大、价格低廉等优点。在这里,将针对TI公司的3000系列DSPTMS320VC33构成的系统,提出两种利用DSP自身对F1ash编程,以实现DSP并行自举的方法,并进行比较。 1 TMS320VC33对SST39VF400A的在系统编程 DSP与Flash的连接简化图如图1所示。 1.1 SS39VF400A芯片介绍 SS39VF400A是一种可读写的256%26;#215;16KB的Flash,它的读操作与一般的RAM是一样的,但写操作不同于一般的RAM。一般的RAM只要选通它,加上写信号就可以写数据了;而对于SS39VF400A,在对其写信号进行相应配置后,还必须在相应的地址写入对应的数据(控制字),才能进行数据的写,类似的Flash擦除也是一样的。 1.2 TMS320VC33对SS739VF400A的编程操作 一般在烧写前,都要进行擦除操作,所以下面将分别给出使用TMS320VC33汇编语言编写的SST39VF400A擦除和烧写程序,具体如下。 (1)擦除程序 .data datal .word 0AAH data2 .word 055H data3 .word 0AOH data4 .word 080H data5 .word 010H addl .word 5555H add2 .word 2AAAH .text ldi @addl,AR0 ldi @add2,ARl ldi @datal,Ro sti R0,*AR0 ldi @datal,R0 sti R0,*AR0 RPTS 8000H NOP ldi @data2,RO sti R0,*ARl RPTS 8000H NOP 1di @data4,RO sti R0,*AR0 RPTS 8000H NOP 1di @datal,R0 sti R0,*AR0 RPTS 8000H NOP ldi @data2,R0 sti R0,*ARl RPTS 8000H NOP ldi @data5,R0 sti R0,*AR0 RPTS 8000H NOP (2)烧写程序 .data datal .word 0AAH data2 . word 055H data3 .word 0AOH data4 .word 080H data5 .word 010H addl . word 5555H add2 .word 2AAAH .text ldi @datal,R0 sti R0,*AR0 RPTS 8000H NOP ldi @data2,R0 sti R0,*ARl RPTS 8000H NOP ldi @data3,RO sti R0,*AR0 RPTS 8000H NOP 2 TMS320VC33的并行自举 2.1 自举表 在介绍DSP并行自举过程之前,必须对DSP的自举表加以说明。自举表也称BOOT表,它需按照TI公司规定的格式来创建。该表中存放在DSP初始化时要用到的特殊寄存器,如STRB的值、程序入口地址、各段的目标首地址和长度以及要执行的代码。 2.2 “两次下载法”实现自举 所谓“两次下载法”就是首先将要烧入Flash的程序(称为程序1)通过仿真器下载到VC33的片内存储器中,这时要烧写到Flash中的可执行代码已经按照程序1中CMD文件定义的各段存储地址,相应的存放在里面。比如程序1的CMD文件定义如下: MEMORY { RAMl:org=0x800000,len=0x1500 RAM2:org=0x801501,len=0x59 RAM3:org=0x801561,1en=0x738 RAM4:org=0x802300,len=0xFF RAM5:org=0x802400,len=0x700 VECS;org=0x809fcl,len=03fh } SECTIONS { .text ; {}>RAMl .data ; {}>RAM2 .stack ; {}>RAM3 .cinit ; {}>RAM4 . bss ; {}>RAM5 .vectors; {}>VECS } 当将程序按照这个CMD文件下载到DSP中后,那么程序的各个段,比如.tex和.data段就相应的存放于DSP片内存储器的0x800000和0x801501开始的地址中了,而这些地址中的代码就是需要烧写进Flash中的可执行代码。这时下载完了后,不执行程序1,而是紧接着下载程序2。这个程序2的功能就是把先前下载进DSP片内存储器的各段地址中的代码按照各段顺序,利用前面说的VC33对SST39VF400A的编程操作,逐段从DSP片内存储器的各段地址中取出代码,然后再逐一写入Flash(SST39VF400A)中。写入时按照了MS320VC33自举表规定的那样,在各段要先写入程序入口地址、各段的目标首地址和长度,最后一段的末尾要加零。执行程序2,就能将要烧写进Flash的可执行代码顺利的写入Flash中了。但要注意的是,程序2的CMD文件不能和程序1的CMD文件重叠,而且执行程序2时不要复位DSP。 2.3 “数据段传输法”实现自举 该方法首先用HEX30.EXE将*.out文件转换成*.hex格式,这时hex文件中的代码就是要烧写进Flash中的可执行代码,只不过编程器能识别而DSP识别不了。用C语言编写一个可执行文件,将.hex文件转化成,asm文件,该文件中的内容就是以.word XXXXXH存在的数据段,这里的数据就是要烧入Flash的可执行代码,并且均是以16位存在的。因为Flash(SST39VF400A)的数据宽度是16位的,通过前面说的TMS320VC33对SST39VF400A的编程操作,一个一个的写进Flash中即可,具体过程如下。 用HEX30.exe将lhl.OUt文件转换成lhl.hex文件,如图2所示。 用C编写的BootGen.exe程序将lhl.hex文件转换成lhl.asm文件,如图3所示。 生成的lhl.asm文件(注意该图文件的数据与图2文件数据的对应关系),如图4所示。 将lhl.asm文件加入到烧写Flash的工程中,作为数据段逐一烧写,如图5所示。 2.4 比较与总结 “两次下载法”实现了DSP的并行自举,不需通过HEX30.exe程序的转化,属于“纯DSP”实现方式。但烧写时,需要自己写入自举表头,并且分段烧写。“数据段传输法”只要直接将生成好的数据段烧写进Flash中就行,但需要借助于HEX30.exc程序和C语言编写的转化程序。两种方法比较而言,“数据段传输法”要较为简单灵活,使用起来比较方便。
编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/designarticles/dsp/200703/9552.html
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