一种多功能存储器芯片测试系统的设计与实现

2017-08-12 19:30:01来源: 珠海欧比特控制工程股份有限公司 关键字:多功能存储器芯片测试系统  SRAM  MRAM  NOR  FALSH  EEPROM

随着电子技术的飞速发展, 存储器的种类日益繁多,每一种存储器都有其独有的操作时序,为了提高存储器芯片的测试效率,一种多功能存储器芯片的测试系统应运而生。本文提出了一种多功能存储器芯片的测试系统硬件设计与实现,对各种数据位宽的多种存储器芯片(SRAMMRAMNOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)进行了详细的结口电路设计(如何挂载到NIOSII的总线上),最终解决了不同数据位宽的多种存储器的同平台测试解决方案,并详细地设计了各结口的硬件实现方法。

 

设计原理

此设计方案根据上述各种存储器独自的读写时序访问特性,通过FPGA的灵活编程特性,适当地调整NIOSII的外部总线时序,最终实现基于NIOSII的外部总线访问各种存储器读写时序的精确操作。如图2-1。通过FPGA自定义一个可以挂载所有存储器芯片的总线接口-ABUS,如表1。而且在同一个接口上能够自动识别各种接入的被测试存储器芯片,它们通过类别输入信号(CLAS)来区分,每一种存储器芯片对应一种独特的操作时序。下面是几种存储器芯片的接口连接方式及信号描述。其它的存储器芯片都可以用类似的接法挂载到ABUS总线上,最终完成测试。

 

 

图 2‑1 NIOSII的总线挂载各类存储器芯片连接示意图

 

表1:ABUS接口信号说明表

 

 

40位NAND FLASH连接设计

如图2-2所示,40位NAND FLASH与NIOSII 通过ABUS(FPGA)桥接,把外部总线的时序完全转换成NAND FLASH的操作时序。40位NAND FLASH芯片品由五个独立的8位NAND FLASH芯片拼接构成。5个8位器件的外部IO口拼接成40位的外部IO口,而各自的控制线(NCLE,NALE,NRE,NWE)连接在一起构成一组控制线(NCLE,NALE,NRE,NWE),片选相互独立引出成NCS0-NCS9,忙信号独立引出为R/B0-R/B9。

如表2,详述了40位NAND FLASH与ABUS的连接关系。

 

 

图 2‑2 ABUS与40位NAND FLASH接口图

 

表2,40位NAND FLASH接口连接表

 

 

8位NAND FLASH与NIOSII连接

8位NAND FLASH是通过多片8位NAND FLSAH芯片叠加而成,每一个芯片的外部总线和控制线(NALE,CLE,NEW,NRE)进行复连。分别引出每一个芯片的片选和忙信号NCS0-NCS9、NRB0-NRB9。可以利用FPGA的逻辑来修改NIOSII的总线读写时序,来准确的操作大容量8位NAND FLASH存储器模块。实现NIOSII到ABUS,ABUS到8位NAND FLASH的连接。如图2-3所示。

表3,详述了8位NAND FLASH与ABUS的连接关系。

 

 

图 2‑3 ABUS与8位大容量NAND FALSH连接

 

表3,8位NAND FLASH接口连接表

 

 

40位SRAM与NIOSII连接

40位SRM模块与NIOSII通过ABUS连接,实现正确的时序读写操作。测试时,一次只测试8位,分5次完成所有空间的测试。如图2-4。表4是详细的信号连接说明。

 

 

图 2‑4 ABUS与40位SRAM连接

 

表4,40位SRAM接口连接表

 

 

8位SRAM与NIOSII连接

8位SRM模块与NIOSII通过ABUS(FPGA)连接,实现正确的时序读写操作。如图2-5。表5是信号连接说明。

 

 

图 2‑5 ABUS与8位SRAM连接

 

表5,8位SRAM接口连接表

 

 

硬件电路设计

在测试NAND FLASH时,测试时间长达十个小时不等。在此为提高测试效率,增加测试速度,本设计采用两套完全一样且独立的硬件系统构成。可同时最多测试2片NAND FLASH器件。每一个硬件系统由一个微处理器(NIOSII)加一个大容量FPGA及一个存储器测试扩展接口(即ABUS接口)三大模块构成。如图3-1。RS232通信接口实现测试系统与上位机的数据交换,完成人机交互操作。电源系统产生各种合适的电压,满足各芯片的电源供给。

 

 

图 3‑1 硬件方块图

 

处理器模块电路

处理器模块电路由FPGA内嵌的NIOSII软核(CPU)、两路RS232通信、一个FLASH芯和一个SRAM芯片组成。CPU是整个系统的核心管理者,向下负责各种存储器芯片的读写测试,向上负责与上位机通信,实现人机交互。通信由其中一个RS232电路完成,另一个RS232电路用来实现系统调试和软件固化。FLASH芯片用来存储程序代码及重要的数据。而SRAM芯片在CPU上电工作以后,通过CPU加载FLASH的程序,最终给CPU的程序代码提供快速的运行环境。

 

基于FPGA的ABUS接口模块

ABUS接口模块由FPGA芯片、配置FLASH及数据存储EEPROM芯片构成。ABUS要实现NIOSII的外部总线与多种存储器模块的接口对接,每一种特定的存储器有一个特定的时序逻辑,而每一种时序逻辑可以通过FPGA的硬件代码(IP核)来实现,具体的每一个存储器模块在测试时会给ABUS接口一个固定的类别信号CLAS,ABUS接口根据这个类别信号识别出各种SIP存储器模块,最终切换出正确的对应特定产品的时序逻辑,来完成NIOSII通过外部总线来对存储器芯片的读写测试。而配置FLASH实现FPGA在上电时硬件程序的加载工作及掉电数据保护。EEPROM用来存储一些重要的系统参数。

 

SIP存储器测试扩展接口

存储器测试扩展接口在硬件上由两排双排座构成。一共是120个管脚。ABUS接口与测试扩展接口相连接:40个管脚与双向的数据或I/O线相连、8个管脚与8根信号输入控制线相连、16个管脚与16根片选信号输出线相连、5个管脚与5根类别输入信号相连、16个管脚与16根状态输入信号线相连、27个管脚与27根地址线相连。其它的管脚可分配成电源和地线,以及信号指示等。

 

ABUS接口IP核的设计

每一种SIP存储器对应于一个特定的ABUS接口IP核,以实现正确的时序读写操作。这个IP核有一个统一的接口约定,都是由两个固定的接口构成,其中与NIOSII连接的是外部总线接口,其操作按照NIOSII的外部总线时序规范来实现,另一个接口就是上文提及的ABUS接口,在相应的CLAS信号有效的情况下,它负责把NIOSII的外部总线读写时序转换成对应存储器芯片的时序。IP核的工作就是完成这些读写操作的转换。表5是各种SIP存储器对应的类别信(CLAS)号输入值,在设计接口转接板时要按这个值设定,ABUS才会切换出正确的读写时序。

七位类别示别信号含义:T_XX_WW_CC,T为1表示高低测试测试,为0表示常温下的功能测试。XX表示存储器种类,WW表示总线宽度,CC表示容量种类。

表5 各种SIP存储器对应的CLAS信号值

 

 

8位SRAM/MRAM/NOR FLASH接口IP核设计

如图4-1,SRAM、MRAM和NOR FLASH的接口操作基本一致,NIOSII的总线时序完全满足。故在FPGA内部只要简单地把相应的控制线和数据线相连就可以了,唯独只要设计一个片选寄存器,用来区分存储器芯片的16个片选。每一个片选可以访问的空间为128MByte。片选寄存器的地址为(基址+0x0FFFFFFC),基地址设在NIOSII外部总线的最高地址位。

 

 

图 4‑1 8位SRAM/MRAM/NOR FLASH接口IP

 

16位SRAM/MRAM/NOR FLASH接口IP核设计

如图4-2,SRAM、MRAM和NOR FLASH的接口操作基本一致,NIOSII的总线时序完全满足。故在FPGA内部只要简单的把相应的控制线和数据线相连就可以了,唯独只要设计一个片选寄存器,用来区分SIP的16个片选。每一个片选可以访问的空间为128MByte。片选寄存器的地址为(基址+0x0FFFFFFC),基地址设在NIOSII 外部总线的最高地址位。

 

 

图 4‑2 16位SRAM/MRAM/NOR FLASH接口IP

 

32位SRAM/MRAM/NOR FLASH接口IP核设计

如图4-3,SRAM、MRAM和NOR FLASH的接口操作基本一致,NIOSII的总线时序完全满足。故在FPGA内部只要简单的把相应的控制线和数据线相连就可以了,唯独只要设计一个片选寄存器,用来区分SIP的16个片选。每一个片选可以访问的空间为128MByte。片选寄存器的地址为(基址+0x0FFFFFFC),基地睛设在NIOSII 外部总线的最高地址位。

 

 

图 4‑3 32位SRAM/MRAM/NOR FLASH接口IP

 

40位SRAM/MRAM/NOR FLASH接口IP核设计

如图4-4,40位的数据宽度有点特殊。在此我们把40位的数据分成5个8位的区域,用8位宽度的总线去分别访问每一个区域。IP核中的位选寄存器就是用来完成切换8位数据总线到40位总线的5个区域的其中一个。片选寄存器的地址为(基址+0x0FFFFFFC),位选寄存器的地址为(基址+0x0FFFFFF8)。最大可以测试128M×40位×16片的存储器SRAM/MRAM/NOR FLASH模块。

 

 

图 4‑4 40位SRAM/MRAM/NOR FLASH接口IP

 

8位NAND FLASH的ABUS接口IP设计

如图4-5,通过写片选寄存器来选中模块的16个片选的其中一个。我们约定其地址为(基址+0x0FFFFFFC)。读状态寄存器返回的是16个NAND FLASH芯片的忙信号,其地址为(基址+0x0FFFFFF8)。向地址(基址+0x00)写入数据就是对NAND FLASH数据寄存器的写操作。向地址(基址+0x00)单元读数据就是对NAND FLASH数据寄存器的读操作。向地址(基址+0x01)写入数据就是对NAND FLASH命令寄存器的写操作。向地址(基址+0x02)写入数据就是对NAND FLASH地址寄存器的写操作。

 

 

图 4‑5 8位NAND FLASH的ABUS接口IP核设计图

 

16位NAND FLASH的ABUS接口IP设计

16位的NAND FLASH存储器芯片可以有多种组合方式,可以用多个16位的NAND FLASH组合,也可以用多个8位的NAND FLASH组合。这里我们假设16位的SIP NAND FLASH产品是由多个16位的NAND FLASH组合而成,下面的IP核是根据它的结构来设计的。

如图4-6,通过写片选寄存器来选中模块的16个片选的其中一个。我们约定其地址为(基址+0x0FFFFFFC)。读

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关键字:多功能存储器芯片测试系统  SRAM  MRAM  NOR  FALSH  EEPROM

编辑:鲁迪 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/afdz/article_2017081210953.html
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