微处理器芯片温度检测及其散热保护电路的设计

2006-05-07 15:49:45来源: 电子技术应用

微处理器芯片温度及微处理器散热保护电路的设计,从而确保了微处理长期安全可靠地工作。

集成温度传感器 检测 散热保护 电路设计

TC652和TC653是美国Telcom公司生产的专用集成电路。它通过检测微机系统中微处理器(μP)的温度,控制无刷直流风扇的转速,来改善μP的散热条件,确保μP能长期安全可靠地工作。TC652和TC653可广泛用于PC机和笔记本电脑中的散热保护电路,还适用于机顶盒(Set-Top Box)、数字通信设备、微机外设、仪器仪表及测控系统中。二者的区别是TC653增加了自动关闭模式,低于下限温度时能自动关闭风扇,以节省电能。

1 TC652/653的性能特点及工作原理

1.1 性能特点

(1)TC652/653内含集成温度传感器和A/D转换器,是一种能同时检测μP温度和风扇运行状况的温度控制专用IC。

(2)测温范围为-40~+125℃。在+25~+70℃范围内测温精度可达±1%(典型值)。

(3)采用脉宽调制(PWM)方式,利用一个分级的转速控制器对风扇进行多级调速。输出脉冲的占空比与μP的温度成正比。利用上述控制方式不仅能延长风扇的使用寿命,节省电能,还可降低风扇噪声。

(4)全部程序已固化在芯片内部,不需要上层软件支持,也不受微机控制。控温范围(即下限温度tL与上限温度tH的间隔)依型号中的尾缀而定,共有10种规格。

(5)电源电压范围宽(+28~+5.5V),微功耗(静态工作电流仅为50μA)。

1.2 工作原理

TC652/653的内部框图如图1所示。它们均采用8脚MSOP封装。UDD、GND分别为正电源端和公共地。FAULT为风扇故障报警输出端,输出低电平时表示风扇发生了故障。有故障时,TC652/653被锁定在关闭模式,PWM输出端保持低电平。若将SHDN端接上高电平或者给UDD重新上电,即可使芯片和风扇从关断状态恢复到正常工作状态。SHDN为关闭风扇的输入控制端,输入为低电平时强迫风扇关闭。在关闭模式期间,TC652/653仍能监视μP的温度,若t>tH,Tover端就输出低电平。SENSE为检测风扇脉冲的输入端,可通过一只电阻Rs来检测风扇脉冲。如检测不到脉冲信号,就说明风扇出现了故障。Tover为超温报警端。当μP温度超过tH时,该端输出低电平。PWM为风扇驱动脉冲的输出端,脉宽调制频率约为15Hz。

TC652/653的内部主要包括温度传感器、A/D转换器、振荡器、温度设定及微调电路、占空比逻辑控制电路、输出级、比较器和风扇检测逻辑电路。温度信号经过A/D转换后变成温度数据,存储到内部寄存器中。该寄存器有一个预先定义好的起点温度,还有6个初始温度(tL、t1、t2、t3、t4、tH),t1~t4被平均分布在所规定的控温度范围(tL~tH),详见表1。其中,t
表1 TC652/653定义的温度范围及输出占空比

温度t tL t1≤t1 t2≤t2 t2≤t3 t3≤t4 t4≤tH tH≤tov

tov≤t

占空比D TC652 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100% 100%并且超温报警(Tover=0)
TC653 “OFF”(自动关闭模式) 50% 60% 70% 80% 90% 100%

TC652/653的基本工作原理是利用所检测到的μP温度数据,改变PWM输出信号的占空比,再通过外部功率开关管来控制直流风扇的转速,进而改善μP的散热条件。TC652的占空比调节范围为40%~100%,TC653则为50%~100%。为确保风扇工作的可靠性,在刚接通电源或从关闭模式重新启动芯片时,触发计时器使PWM的输出在高电平上保持2秒钟时间,关闭模式的时序波形如图2所示。在确认风扇发生故障时,就通过内部电路使PWM、FAULT端都变成低电平。

Tover信号具有温度滞后特性。当t>tH+10℃时,Tover端才变成低电平,表示μP发生过热现象,可关闭,μP的电源,亦可使系统中其它风扇工作在全速状态,给μP进一步降温;当tμA。TC653还具有自动关闭模式,当t

2 微处理器散热保护电路的设计

2.1 TC652/653的典型应用电路

TC652/653的典型应用电路如图3所示。TC652/653紧贴在被检测的微处理器(μP)上,由它发出的风扇故障报警信号FAULT,送到微机系统的风扇故障报警输入端,微机接收此信号后就从关断控制端给TC652/653发出一个关断信号SHDN,关闭PWM的输出。当μP的温度超过所设定的上限温度值tH时,从Tover端输出的超温报警信号也送至微机系统。TC652/653采用+5V电源,风扇单独使用+12V电源。外部驱动管VT采用2N2222型NPN晶体管,其主要参数为:U(BR)CEO=30V,Ic=150mA,ICM-800mA,Pcm=500mW,hFE≥50。RB为基极限流电阻,Rs是风扇脉冲检测电阻。电容器C用来滤除高频噪声。

2.2 电路设计要点

2.2.1 驱动管的选择及典型产品的参数

根据全速运行时的风扇电流IFAN值,可确定驱动管的类型。原则上,当IFAN≤300mA时,可选双极型晶体管或场效应管;当IFAN>300mA时,必须采用N沟道MOSFET。双极型晶体管典型产品有MPS2222、2N4410和MPS6602。N沟道MOSFET典型产品为Si2302、MPS6602和BS170。

2.2.2 基极限流电阻RB的计算

使用双极型晶体管驱动风扇时,基极限流电阻RB值由下式确定:

RB=[UON-UBE(SAT)-URS]/IBM

式中,UOH--PWM端输出的高电平电压;

UBE(SAT)--基极-发射极饱和压降;

URs--风扇电流检测电阻Rs上的压降;

IB--基极电流。

举例说明:已知UOH=4.0V,VBE(SAT)=1.3V,VRs=IFAN·Rs=150mA×3.0Ω=0.45V,IB=3.25mA,由上式可求出RB=1kΩ

    2.2.3 检测电阻Rs与风扇电流IFAN的关系

检测电阻Rs与风扇电流IFAN的对应关系见表2。

表2 检测电阻Rs与风扇电流IFAN的对应关系

IFAN/mA 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
Rs/Ω 9.1 4.7 3.0 2.4 2.0 1.8 1.5 1.3 1.2 1.0

2.2.4 减小风扇噪声的方法

当风扇全速运行时,所形成的扰动气流是产生音频噪声的主要原因。采用风扇转速控制器能使风扇在低于全速的转速下运行,这有助于减小风扇噪声。在调节PWM信号的占空比时,可引起音频噪声,在驱动管的基极与地之间并联一只延迟电容C可降低风扇噪声,电路如图4a所示。风扇转动力矩与电角度的关系曲线如图4b所示。加延迟电容后,可滤掉在PWM开启风扇时所形成的尖峰电压,对PWM信号起到平滑作用,使风扇的转动力矩平滑地变化,进而降低了风扇噪声。延迟电容的容量范围为0.47~1.0μF。此外,当PWM=0使VT关断时,延迟电容还能限制反向电动势的升高,对驱动管起到保护作用。

关键字:微处理器  处理器  芯片  温度

编辑: 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/zhzx/200605/2194.html
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