判断测量双向可控硅极性的方法

2016-09-07 09:03:47来源: eefocus
判断测量双向可控硅晶闸管极性的方法
 (1).将三用电表置于Rx1档,量其三接脚,如表所示,不论红表笔如何测量,于T1与G之间的电阻皆为20到50姆,因此另一接脚为T2。
 (2).将三用电表置于Rx1档,测试棒分别接于可控硅的T2与T1,以导线连接T2与G再移开,则T2与T1间呈低电阻(可控硅已被触发),设其电阻为R1。
 (3).再用三用电表分别测T2和G,以导线连接T2与T1再移开,则T2与G之间呈低电阻(可控硅已被触发),设其电阻为R2,通常R1小于R2,则可辨别T1和G两点。
 
                    双向可控硅(晶闸管)结构引脚图

黑表笔 红表笔
 
电阻值
T2
 
T1
 
¥
 
T1
 
T2
 
¥
 
T2
 
G
 
¥
 
G
 
T2
 
¥
 
T1
 
G
 
20 - 50W
 
G
 
T1
 
20 - 50W
 
 

关键字:判断测量  双向可控硅  极性

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/article_2016090717114.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
判断测量
双向可控硅
极性

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved