脉冲Vds-id 的测试参数

2016-09-02 08:36:40来源: eefocus
漏极电压Vd,从0至4V进行扫描,在每个Vd扫描之后,门极电压Vg步进到下一个数值。传统的只有直流的Vds-id和通过4200-RBT, 偏置T型接头的直流IV测试之间的主要区别是SMU的数量。通过偏置T型接头进行的直流IV测试,使用2个SMU[2],其源和本体连接到地(SMA的同轴电缆屏蔽层)。
 
Vds–id-pulse测试如图7所示。由于脉冲测试是UTMS(用户测试模块),所以参数是通过图7所示的表格界面来改变的。对于脉冲Vds-id[3],门极电压不是阶梯的,所以将下一个Vds-id曲线附加到图上之前,必须输入每一个门极电压。
图7.       脉冲Vds-id UTM definition选项页

请注意,直流和脉冲测试的参数都可以很容易的进行修改,允许对晶体管行为特性进行交互式观察。下面章节运行Pulse IV测试部分会涵盖运行Vds-id测试的程序。

关键字:脉冲  Vds-id  测试参数

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/article_2016090217032.html
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