电容测量注意事项

2015-05-14 10:03:52来源: ednchina
电容等效模型以及阻抗计算公式
电容测量有串联模式(Cs-D, Cs-Rs)和并联模式(Cp-D, Cp-Rp)
当使用串联模式测量
Cs的计算是如下图(即直接使用虚部,认为虚部的值就是电容值):
这种情况下,Cs的值等于C,仅仅在Rp值非常大(1/Rp <<1)并且L的电抗可以忽略(ωL<<1/ωC)的情况下。通常,在高频时候,L不可忽略,但是Rp则在很多情况下可以忽略。对于高值电容,c的电抗相对Rp来说非常小;而低值电容,其本身的Rp就很大。因此,大多数电容可以使用下面的等效图来表示:
Figure5-5(a)和Figure5-5(b)示出了陶瓷电容器的典型阻抗特性和Cs-D特性:
我们可以从高频区的谐振点,认知到L的存在。
电容测量应当注意到,测量是和电容值相关的。
高值电容的测量:
它属于低阻抗测量,因此必须把接触电极、测量夹具、电缆中的接触电阻和残余阻抗减到最小。这里应当使用4端、5端或者4端对测量方法。为了避免电磁场耦合影响,应当按照下图方式连接电缆:
此外为了进行精准测量,必须进行开路,短路校准补偿。特别是对于施加直流偏置电压的电解电容器,应该在偏置设置为On,并且为0V的时候进行开路短路补偿。
 
低值电容测量:
属于高阻抗测量。接触电极间的杂散电容比残余阻抗有更大的影响。应该使用3端(屏蔽2T)、5端(屏蔽4T)或4端对(4TP)测量。正确的接地、开路/短路补偿可以把杂散电容影响减小到最小。
除了电容量以外,损耗因素D和等效串联电阻ESR也是需要测量的电容参数。对于低D值,或者低ESR值的测量需要格外注意。即使使用4端测量,测试夹具和电缆间的接触电阻、残余阻抗也会影响测量结果。

关键字:电容测量  等效模型  阻抗计算

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/2015/0514/article_11774.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
电容测量
等效模型
阻抗计算

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved