电容测量注意事项

2015-05-14 10:03:52来源: ednchina
电容等效模型以及阻抗计算公式
电容测量有串联模式(Cs-D, Cs-Rs)和并联模式(Cp-D, Cp-Rp)
当使用串联模式测量
Cs的计算是如下图(即直接使用虚部,认为虚部的值就是电容值):
这种情况下,Cs的值等于C,仅仅在Rp值非常大(1/Rp <<1)并且L的电抗可以忽略(ωL<<1/ωC)的情况下。通常,在高频时候,L不可忽略,但是Rp则在很多情况下可以忽略。对于高值电容,c的电抗相对Rp来说非常小;而低值电容,其本身的Rp就很大。因此,大多数电容可以使用下面的等效图来表示:
Figure5-5(a)和Figure5-5(b)示出了陶瓷电容器的典型阻抗特性和Cs-D特性:
我们可以从高频区的谐振点,认知到L的存在。
电容测量应当注意到,测量是和电容值相关的。
高值电容的测量:
它属于低阻抗测量,因此必须把接触电极、测量夹具、电缆中的接触电阻和残余阻抗减到最小。这里应当使用4端、5端或者4端对测量方法。为了避免电磁场耦合影响,应当按照下图方式连接电缆:
此外为了进行精准测量,必须进行开路,短路校准补偿。特别是对于施加直流偏置电压的电解电容器,应该在偏置设置为On,并且为0V的时候进行开路短路补偿。
 
低值电容测量:
属于高阻抗测量。接触电极间的杂散电容比残余阻抗有更大的影响。应该使用3端(屏蔽2T)、5端(屏蔽4T)或4端对(4TP)测量。正确的接地、开路/短路补偿可以把杂散电容影响减小到最小。
除了电容量以外,损耗因素D和等效串联电阻ESR也是需要测量的电容参数。对于低D值,或者低ESR值的测量需要格外注意。即使使用4端测量,测试夹具和电缆间的接触电阻、残余阻抗也会影响测量结果。

关键字:电容测量  等效模型  阻抗计算

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/2015/0514/article_11774.html
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