一种适合于开关稳压器的新颖电流检测方法

2015-02-11 15:19:51   来源:一种适合于开关稳压器的新颖电流检测方法   

关键字: 开关稳压器  电流检测  稳压器

1 引 言

随着电子产品向小型化、便携化的趋势发展,单片集成的高效、低电源电压DC-DC 变换器被广泛应用。在许多电源管理IC 中都用到了电流检测电路。在电流模式PWM 控制DC-DC 变换器中,电流检测模块是组成电流环路的重要部分,用于检测流过功率管和电感上的电流,并通过将电流检测结果和电压环路的输出做比较,实现脉宽调制的效果。在电压模式PWM 控制DC-DC 变换器、LDO、Charge Pump 等电路中,它还可以用作开路、短路、过流等节能和保护性目的。传统的电流检测方法有3 种:

(1) 利用功率管的RDS进行检测;

(2) 使用检测场效应晶体管检测;

(3) 场效应晶体管与检测电阻结合。针对开关稳压器,不同于传统的电流检测方式,本文提出了一种新颖的电流检测方法。

2  传统的电流检测方法

2. 1  利用功率管的RDS进行检测( RDS SENSIN G)

当功率管(MOSFET) 打开时,它工作在可变电阻区,可等效为一个小电阻。MOSFET 工作在可变电阻区时等效电阻为:

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式中:μ为沟道载流子迁移率; COX 为单位面积的栅电容;V TH 为MOSFET 的开启电压。

如图1 所示,已知MOSFET 的等效电阻,可以通过检测MOSFET 漏源之间的电压来检测开关电流。

这种技术理论上很完美,它没有引入任何额外的功率损耗,不会影响芯片的效率,因而很实用。但是这种技术存在检测精度太低的致命缺点:

(1) MOSFET 的RDS本身就是非线性的。

(2) 无论是芯片内部还是外部的MOSFET ,其RDS受μ, COX ,V TH影响很大。

(3) MOSFET 的RDS随温度呈指数规律变化(27~100 ℃变化量为35 %) 。

可看出,这种检测技术受工艺、温度的影响很大,其误差在- 50 %~ + 100 %。但是因为该电流检测电路简单,且没有任何额外的功耗,故可以用在对电流检测精度不高的情况下,如DC2DC 稳压器的过流保护。

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图1  利用功率管的RDS进行电流检测


2. 2  使用检测场效应晶体管(SENSEFET)

这种电流检测技术在实际的工程应用中较为普遍。它的设计思想是: 如图2 在功率MOSFET 两端并联一个电流检测FET ,检测FET 的有效宽度W 明显比功率MOSFET 要小很多。功率MOSFET 的有效宽度W 应是检测FET 的100 倍以上(假设两者的有效长度相等,下同) ,以此来保证检测FET 所带来的额外功率损耗尽可能的小。节点S 和M 的电流应该相等,以此来避免由于FET 沟道长度效应所引起的电流镜像不准确。

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图2  使用场效应晶体管进行电流检测


在节点S 和M 电位相等的情况下,流过检测FET的电流IS 为功率MOSFET 电流IM 的1/ N ( N 为功率FET 和检测FET 的宽度之比) , IS 的值即可反映IM 的大小。

2. 3  检测场效应晶体管和检测电阻相结合

如图3 所示,这种检测技术是上一种的改进形式,只不过它的检测器件不是FET 而是小电阻。在这种检测电路中检测小电阻的阻值相对来说比检测FET 的RDS要精确很多,其检测精度也相对来说要高些,而且无需专门电路来保证功率FET 和检测FET 漏端的电压相等,降低了设计难度,但是其代价就是检测小电阻所带来的额外功率损耗比第一种检测技术的1/ N 2 还要小( N 为功率FET 和检测FET 的宽度之比) 。此技术的缺点在于,由于M1 ,M3 的V DS不相等(考虑VDS对IDS的影响), IM 与IS 之比并不严格等于N ,但这个偏差相对来说是很小的,在工程中N 应尽可能的大, RSENSE应尽可能的小。在高效的、低压输出、大负载应用环境中,就可以采用这种检测技术。
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编辑:什么鱼
本文引用地址: http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/2015/0211/article_10905.html
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