反射光强度的检测电路(CD4052B、CD4011B)

2015-01-19 14:00:53来源: eechina
如图所示为反射光强度的检测电路。该电路由红外发光二极管、光电二极管、CMOS模拟开关、运算放大器等组成。 电路正常工作时,首先使红外发光二极管(LED)不发光,光电二极管接收到的外部干扰信号转换为电信号后加至负方向积分电路,设此段时间为T1;然后使LED发光,光电二极管接收到的光信号转换为电信号后加至正方向积分电路,设此段时间为T2。设T1=T2。则电路显示出来所保持的信号与外部干扰无关,仅与反射光强度有关。保持信号的这段时间称为保持时间,记为T3。相应积分器复位对应的时间为T4。在工作频率(50Hz或60Hz)下,为了有效地避免同步外部干扰,最好使T1=T2=N/f(N取整数,f为工作频率),或者取T1=T2<<1/f。该电路结构简单,使用输出功率为5~10mW的红外发光二极管和光电二极管,可在距离10~100mm处检测反射光强度。电路中运算放大器的输入偏置电流应远小于光电流。电路增益取决于积分时间和积分电容Ci。本电路除了可以排除干扰检测反射光强度(反射光率)外,还可用于检测距离、倾斜和通过率,特别适用于检测各种光强。此外,本电路还可用于霍尔元件的磁性测量及其他测量。

关键字:反射光强度  CD4052B  CD4011B

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/2015/0119/article_10633.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved