基于TMSF240芯片的内部FLASH自测试方法

2014-11-19 09:57:48来源: eccn
  飞控计算机CPU模块的处理器通常选用PowerPC或X86系列,CPU模块设计有专门的FLASH芯片,为保证飞控程序存放的正确无误,FLASH测试必不可少。而智能接口模块的处理器通常选用TMSF240、TMSF2812等,采用片内FLASH存放自己的程序。这部分FLASH的自测试常常被忽视,而这是飞控系统不能容忍的。本文介绍了一种基于TMSF240芯片内部FLASH的自测试方法。

  1 问题描述

  在CPU处理器无自带FLASH空间的情况下,我们选用市场上专用的FLASH芯片,通过硬件设计该FLASH芯片的每一个地址空间都是可以访问的,我们可以指定不同的区域存放不同的内容。FLASH芯片的自测试也有很多种方法,目前较普遍采用的是校验和的方法,即由专门的烧写工具(可以使用软件完成该工具)在烧写的过程中将校验和计算好直接放到指定的单元中,这个单元可以指定到烧程序时写不到的空闲空间,自测试时只需重新计算一遍校验和与该值进行比较即可。此种方法我们称之为方法一。

  而TMSF240内部自带FLASH存储空间,烧录过程对于用户来说较透明。我们不直接指定向某一具体的FLASH空间写入数据,而是通过执行TI公司提供的批处理文件,经由闻亭仿真器连接目标机来完成烧录程序的过程,因此直接使用方法一我们无处存放校验和为使用方法一来测试芯片内部的FLASH我们必须解决校验和的存放问题。

  2 芯片内部FLASH自测试方法概述

  下面介绍的方法实现的是解决程序本身自测试程序本身烧到FLASH后保存的是否正确的问题。该方法不是将校验和直接写到FLASH中,而是在待烧录的程序中定义一个变量,该变量最终用于存放事先计算好的校验和,通过两次烧录实现芯片内部FLASH自测试功能的。必须巧妙地避开因改变程序本身而引起的程序校验和改变而导致自测试算法失效的问题。

  本方法需要事先将程序完全调试好烧录到FLASH中,然后才能读取FLASH内容计算校验和。此时将校验和值赋给事先定义好的变量,重新编译后得到最终的目标码,烧录到FLASH中。程序上电后自动运行,FLASH自测试程序在每次执行自测试功能时都将要测试的程序空间读出并计算校验和与该变量进行比较,比较结果一致则待测试FLASH空间正确,反之则表明FLASH空间有故障。

  由于变量赋值的改变会导致整个代码校验和的改变,因此该问题必须得到恰当的解决。第一次烧写的程序的算法如图1所示。

  

  以上步骤中第二步到第四步是此算法的实现重点,它属于代码的一部分,两次烧写要对其进行更改,详见第3节。第三步是本方法的关键所在,由于sum=0,所以经过“sum=sum+sum;”的运算后sum值还是0,并没有改变sum的值。而sum的初值0并没有对程序的真实校验和值做出贡献,这为第二次烧写的程序代码和计算做出铺垫。

  3 芯片内部FLASH自测试方法详述

  3.1 第一次烧写步骤

  第一次烧写过程如下:

  步骤1:将包含图1的代码编译后形成待烧录文件*.out;

  步骤2:将代码编译生成待烧录文件*.out,然后通过TI公司提供的批处理文件和仿真器将其烧入片内自带的FLASH中。

  3.2 第二次烧写步骤

  第二次烧写过程如下:

  步骤1:利用闻亭仿真器设置成烧录模式下代码调试模式,将硬件断点设置在FLASH自测试的函数入口处;

[1] [2]

关键字:TMSF240  芯片  FLASH

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/2014/1119/article_10114.html
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