安捷伦科技推出先进的建模解决方案

2014-07-01 15:03:42来源: EEWORLD

    适用于 Nanoscale 3D FinFET 和高频率/大功率 GaN HEMT

    2014年 6 月 30 日,北京――安捷伦科技公司(NYSE: A)日前宣布为旗下业界领先的器件建模和表征软件2014 版推出了几项创新功能。这一套件包括安捷伦EEsof EDA的集成电路表征和分析程序(IC-CAP)、模型构建程序(MBP)和模型质量保证程序(MQA)。

    安捷伦器件建模策划部经理 Brian Chen 表示:“在过去几年里,安捷伦依托内部开发和收购重要技术双重举措,稳步扩展了器件建模平台。这不仅标志着我们全套最新解决方案的首发成功,也意味着我们的未来愿景取得了重大进步——成为提供从端对端、测量到建模全方位解决方案的卓越供应商。”

先进建模能力

    最新的软件版本具有三大先进器件建模套件,适用于安捷伦DynaFET、BSIM6 和 BSIM-CMG 模型建模。BSIM6 是行业标准的体硅 MOSFET 模型,相比之前的 BSIM4模型,其在模拟/射频应用方面有显著改进;BSIM-CMG 是针对sub 20nm(20nm以下)三维 FinFET 技术的行业标准模型。2014版本中的BSIM6 和 BSIM-CMG 建模解决方案有助于半导体从业者了解和使用这些最新技术。

    DynaFET 建模套件基于内部开发的技术,是安捷伦 GaN HEMT 表征、建模和仿真解决方案的重要组成部分。GaN HEMT 建模套件基于图形用户界面(GUI),提供DynaFET模型生成解决方案。时域 DynaFET 模型采用人工神经网络获取电荷和电流公式,并考虑了俘获/释放(trapping/de-trapping)和自热效应,能够精确地同步拟合直流、线性和大信号测量数据。因此,DynaFET 模型能够使用单个模型文件完成不同偏置条件下的不同应用设计,并可确保精确的仿真结果。

其他增强特性

    2014 版器件建模和表征软件还具有许多新增特性,能够显著提高器件表征、模型生成和模型验证等端对端流程的工作效率。这些增强特性包括:

    新增编程编辑器;
    使用专业仿真器加快仿真速度;
    扩展的失配模型和统计模型解决方案;
    改进的、灵活的用户界面,用于创建、管理、监测和调试测量测试计划。

关键字:安捷伦

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/2014/0701/article_9199.html
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