晶体管的检测经验

2011-10-11 11:36:42来源: 互联网

  (一)晶体管材料与极性的判别

  1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中,“A”代表锗材料PNP型管,“B”代表锗材料NPN型管,“C”代表硅材料PNP型管,“D”代表硅材料NPN型管。

  ***产晶体管型号命名的第三部分用字母A"D来表示晶体管的材料和类型(不代表极性)。其中,“A”、“B”为PNP型管,“C”、“D”为NPN型管。通常,“A”、“C”为高频管,“B”、“D”为低频管。

  欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料(不表示NPN或PNP型极性)。其中,“A”表示锗材料,“B”表示硅材料。

  2.从封装外形上识别晶体管的引脚 在使用权晶体管之前,首先要识别晶体管各引脚的极性。

  不同种类、不同型号、不同功能的晶体管,其引脚排列位置也不同。通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容,可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。

  3.用万用表判别晶体管的极性与材料 对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管,可以通过万用表测试来判断出该晶体管的极性、引脚及材料。

  对于一般小功率晶体管,可以用万用表R×100Ω档或R×1k档,用两表笔测量晶体管任意两个引脚间的正、反向电阻值。

  在测量中会发现:当黑表笔(或红表笔)接晶体管的某一引脚时,用红表笔(或黑表笔)去分别接触另外两个引脚,万用表上指示均为低阻值。此时,所测晶体管与黑表笔(或红表笔)连接的引脚便是基极B,而别外两个引脚为集电极C和发射极E。若基极接的是红表笔,则该管为PNP管;若基极接的是黑表笔,则该管国 NPN管。

  也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极,与红表笔或黑表笔接触,再用另一表笔去分别接触另外两个引脚,若测出两个均较小的电阻值时,则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B,而另外两个引脚为发射极E和集电极C。

  找到基极B后,再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。通常,正向电阻值较大的电极为发射极E,正向电阻值较小的为集电极C。

  PNP型晶体管,可以将红表笔接基极B,用黑表笔分别接触另外两个引脚,会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次测量中,黑表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接的引脚为发射极E。

  NPN型晶体管,可将黑表笔接基极B。用红表笔去分别接触另外两个引脚。在阻值较小的一次测量中,红表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大一次测量中,红表笔所接的引脚为发射极E。

  通过测量晶体管PN结的正、反向电阻值,还可判断出晶体管的材料(区分出是硅管还是锗管)及好坏。一般锗管PN结(B、E极之间或B、C极之间)的正向电阻值为200"500Ω,反向电阻值大于100kΩ;硅管PN结的正向电阻值为3"15kΩ,反向电阻值大于500kΩ。若测得晶体管某个PN结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则可判断该管已击穿或开路损坏。

  (二)晶体管性能的检测

  1.反向击穿电流的检测

  普通晶体管的反向击穿电流(也称反向漏电流或穿透电流),可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时,将万用表置于R×1k档, NPN型管的集电极C接黑表笔,发射极E接红表笔;PNP管的集电极C接红表笔,发射极E接黑表笔。

  正常时,锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10Kω(用R×100档测,电阻值大于2kΩ),锗大功率晶体管的电阻值为1.5kΩ(用 R×10档测)以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100kΩ(用R×10k档测),实测值一般为500kΩ以上。

  若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小,则说明该晶体管的漏电流较大;若测得C、E极之间的电阻值接近0,则说明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多,则说明该管的热稳定性不良。

  也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时,先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档,选择晶体管的极性,将被测晶体管的三个引脚插个测试孔,然后按下ICEO键,从表中读出反向击穿电流值即可。

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编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/2011/1011/article_3679.html
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