芯片开发和生产中的IC测试基本原理

2011-07-04 09:52:05来源: 互联网

  1 引言

  本文主要讨论芯片开发和生产过程中的IC测试基本原理,内容覆盖了基本的测试原理,影响测试决策的基本因素以及IC测试中的常用术语。

  2 数字集成电路测试的基本原理

  器件测试的主要目的是保证器件在恶劣的环境条件下能完全实现设计规格书所规定的功能及性能指标。用来完成这一功能的自动测试设备是由计算机控制的,因此,测试工程师必须对计算机科学编程和操作系统有详细的认识,测试工程师必须清晰了解测试设备与器件之间的接口,懂得怎样模拟器件将来的电操作环境,这样器件被测试的条件类似于将来的应用环境。

  首先有一点必须明显的是,测试成本是一个很重要的因素,关键目的之一就是帮助降低器件的生产成本,甚至在优化的条件下,测试成本有时能占到器件总体成本的40%左右,良品率和测试时间必须达到一个平衡,以取得最好的成本效率。

  2.1 不同测试目标的考虑

  依照器件开发和制造阶段的不同,采用的工艺技术的不同,测试项目种类的不同以及待测器件的不同,测试技术可以分为很多种类。

  器件开发阶段的测试包括:特征分析:保证设计的正确性,决定器件的性能参数;

  产品测试:确保器件的规格和功能正确的前提下减少测试时间提高成本效率; 可靠性测试:保证器件能在规定的年限之内正确工作;

  来料检查:保证在系统生产过程中所有使用的器件都能满足它本身规格书要求,并能正确工作。

  制造阶段的测试包括:

  圆片测试:在圆片测试中,要让测试衣管脚与器件尽可能地靠近,保证电缆,测试衣和器件之间的阻抗匹配,以便于时序调整和矫正。因而探针卡的阻抗匹配和延时问题必须加以考虑。

  封装测试:器件插座和测试头之间的电线引起的电感是芯片载体及封装测试的一个首要的考虑因素。

  特征分析测试,包括门临界电压、多域临界电压、旁路电容、金属场临界电压、多层间电阻,金属多点接触电阻、扩散层电阻,接触电阻以及FET寄生漏电等参数测试。

  通常的工艺种类包括:

  TTL、ECL、CMOS、NMOS、Others

  通常的测试项目种类:

  功能测试:真值表、算法向量生成

  直流参数测试:开路/短路测试,输出驱动电流测试、漏电电源测试、电源电流测试、转换电平测试等。

  交流参数测试:传输延迟测试,建立保持时间测试、功能速度测试、存取时间测试、刷新/等待时间测试,上升/下降时间测试。

  2.2 直流参数测试

  直流测试是基于欧姆定律的用来确定器件电参数的稳态测试方法。比如,漏电流测试就是在输入管脚施加电压,这使输入管脚与电源或地之间的电阻上有电流通过,然后测量其该管脚电流的测试,输出驱动电流测试就是在输出管脚上施加一定电流,然后测量该管脚与地或电源之间的电压差。

  通常的DC测试包括:

  接触测试(短路-开路):这项测试保证测试接口与器件正常连接,接触测试通过测量输入输出管脚上保护二极管的自然压降来确定连接性。二极管上如果施加一个适当的正向偏置电流,二极管的压降将是0.

  7V左右,因此接触测试就可以由以下步骤来完成:

  (1)所有管脚设为0V,

  (2)待测管脚上施加正向偏置电流"I",

  (3)测量"I"引起的电压,

  (4)如果该电压小于0.1V,说明管脚短路,

  (5)如果电压大于1.0V,说明该管脚开路,

  (6)如果电压在0.1V到1.0V之间,说明该管脚正常连接。

  


 

  漏电(IIL,IIH,IOZ):理想条件下,可以认为输入及三态输出管脚和地之间是开路的,但实际情况,它们之间为高电阻状态,它们之间的最大的电流就称为漏电流。或分别称为输入漏电流和输出三态漏电流,漏电流一般是由于器件内部和输入管脚之间的绝缘氧化膜在生产过程中太薄引起的,形成一种类似于短路的情形,导致电流通过。

  三态输出漏电IOZ是当管脚状态为输出高阻状态时,在输出管脚使用VCC(VDD)或GND(VSS)驱动时测量得到的电流,三态输出漏电流的测试和输入漏电测试类似,不同的是待测器件必须被设置为三态输出状态。

  转换电平(VIL,VIH)。转换电平测量用来决定器件工作时VIL和VIH的实际值。(VIL是器件输入管脚从高变换到低状态时所需的最大电压值,相反,VIH是输入管脚从低变换到高的时候所需的最小电压值)。这些参数通常是通过反复运行常用的功能测试,同时升高(VIL)或降低(VIH)输入电压值来决定的,那个导致功能测试失效的临界电压值就是转换电平,这一参数加上保险量就是VIL或VIH规格,保险量代表了器件的抗噪声能力。

[1] [2]

关键字:芯片开发  IC测试

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/2011/0704/article_2881.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
芯片开发
IC测试

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved