浅谈 EDGE 演进及其测量

2011-06-07 16:04:43来源: 互联网

人们普遍认为,在未来一段时间内,GGE/EDGE网络仍将是全球移动语音和数据通信的基础,尤其是在那些频谱资源十分匮乏的地区。在这样一种情况下,由于GGE/EDGE网络具有较低的资费水平和众多的业务类型(同时支持全球漫游),因而受到极大的欢迎。所以,电信运营商正在积极研究,希望进一步提升现有GGE/EDGE网络的性能。


EDGE演进(E-EDGE)将会进一步加强GSM/EDGE网络的通信能力。GSM规范第7版中对EDGE演进的标准作出了规定。EDGE演进增添了多种新特性,从而可以进一步扩充系统容量,支持网络处理不断增加的数据业务,同时提高了平均数据速率和最高数据速率,降低了时延——所有这些特性可以为用户提供更出色的应用体验。


通常,E-EDGE包括4个可选特性:


*通过两种特殊的办法减少时延:快速Ack/Nack报告(FANR)和减小传输时间间隔(RTTI);


*下行链路双载波;


*高阶调制(HOM)和高符码率(HSR);


*移动台接收分集。


这些特性不会对传统手机产生影响,也不需要额外的频率资源。此外,除了HSR之外,这些特性对核心网或基站(BTS)硬件没有任何影响。但是,它们对手机终端开发者以及设计与测试工具供应商提出了全新的挑战。为了帮助用户更好地了解这些挑战,了解如何解决这些问题,我们下面将对E-EDGE的功能以及其测试解决方案进行详细的介绍。


减小传输时间间隔
E-EDGE通过在数据传输的不同时隙上对两个分组数据业务信道(PDTCH)物理信道进行配对,可以减少增强型GPRS(EGPRS)连接中的传输时间间隔(TTI)。通常所配对的时隙都具有共同的频率特性。在这个RTTI配置里,在4个突发脉冲上进行交叉存取的PDTCH数据块会在两个帧内以PDTCH对的形式在两个分组数据业务信道上进行传输(如图1所示)。由于所需传输的帧数减半,TTI自身的时间也减半,即降至10ms。

Timeslots(Downlink):时隙(下行链路)
Timeslots(Uplink):时隙(上行链路)
FRAME#:数据帧编号
图1 BTTI USF模式

RTTI配置可通过两种上行链路状态标记(USF)模式中的任意一种模式来实现:基础TTI(BTTI)USF模式或RTTI USF模式。图1是用于RTTI信道配置的BTTI USF模式。在这种配置中,给定的USF在与分组数据信道(PDCH)相关的4个突发脉冲上进行交叉存取。在PDCH对中最低PDCH上的USF将资源分配到下一个基础无线数据块周期的第一个无线数据块周期内。在PDCH对中最高PDCH上的USF将资源分配到下一个基础无线数据块周期的第二个无线数据块周期内。这样就可以在每个基础无线数据块周期内向移动台分配一个不同的USF。


图2为用于RTTI信道配置的RTTI USF模式。在这种配置中,在下行链路(DL)上的每个无线数据块上关联(和交叉存取)单独的USF。下行链路上第一个无线数据块周期中分配的USF,可为同一个基础无线数据块周期内上行链路(UL)上第二个无线数据块周期分配资源。下行链路上第二个无线数据块周期中分配的USF,可为下一个无线数据块周期内上行链路(UL)上第一个无线数据块周期分配资源。在这种配置中,每个PDCH对都可以有不同的USF。

图2 RTTI USF模式

快速Ack/Nack报告
3GPP第7版技术规范在减少时延的程序中对FANR进行了规定。假定在某个方向上使用一个无线数据块进行数据传输,那么FANR有可能会捎带(piggybacked)Ack/Nack信息,该信息与另一方向上的数据传输有关(例如与临时数据块流或TBF有关)。该信息可以通过在无线链路控制(RLC)数据块中插入一个固定大小的piggybacked ACK/NACK(PAN)字段来实现。因此,加入FANR功能以后,用于数据传输的无线数据块就由一个RLC/媒体访问控制(MAC)标头、一个或两个RLC数据块和一个可选的PAN字段组成。表1显示了无线数据块的结构。


为了更好地理解FANR概念,请看图3中的示例:DL TBF在时隙0、1、2和3(TBF1)上进行分配,并与其他TBF(TBF2和TBF3)进行多路复用。图中假定RLC数据短位图(Short bitmap)的长度只有两个8位字节。

图3 快速Ack/Nack报告操作示例

[1] [2] [3]

关键字:EDGE

编辑:什么鱼 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/Test_and_measurement/2011/0607/article_2630.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
EDGE

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved