Vishay推出新系列VOW Widebody高隔离电压光耦器件

2014-09-18 17:06:13来源: EEWORLD

    器件爬电距离10mm,具有1MBd和10MBd的速率。

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 9 月18 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列具有1MBd和10MBd数据速率的高速器件---VOW135、VOW136、VOW137和VOW2611,扩充其高隔离电压光耦的VOW Widebody家族。这些器件是为在高压新能源和工业应用里提高可靠性而设计的,VIOTM为8000V,VIORM为1414V,外部爬电距离大于10mm。

    今天推出的Vishay Semiconductors VOW Widebody光耦由一个GaAIAs红外发光二极管组成,二极管与集成的光探测器形成光学耦合。高安全隔离电压提高了产品的耐用度,除此以外,这些器件内部采用了Faraday屏蔽,在输入和输出之间具有高功率开关应用所必需的非常高的噪声隔离能力。

    VOW135、VOW136、VOW137和VOW2611是为在太阳能逆变器等新能源,运动和电机控制以及焊接设备等工业应用里隔离低压和高压电路而设计的。采用VOW Widebody器件,就不需要昂贵的带保形镀膜的方案,让设计者能够以低成本和小尺寸来满足国内外安全法规的要求。

    VOW135和VOW136可抵御1000V/μs的共模瞬态,1MBd数据速率下高电平和低电平传播延迟小于2μs。VOW137和VOW2611的数据速率为10 MBd,可抵御40000V/μs的共模瞬态,同时将高电平和低电平传播延迟保持在100 ns以下,高脉冲宽度畸变小于40ns。

    VOW Widebody光耦采用爬电距离大于10mm的DIP-8 400mil Widebody通孔封装和表面贴装的弯引脚封装。器件符合RoHS指令2011/65/EU及Vishay的绿色标准,满足UL、cUL、VDE和CQC 5000 m强化绝缘的要求。

关键字:VOW  Widebody  电压  光耦器件  Vishay

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2014/0918/article_1607.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
VOW
Widebody
电压
光耦器件
Vishay

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved