iST宜特独家研发出MEMS失效分析标准流程

2013-10-15 16:46:55来源: EEWORLD

在先端科技的蓬勃發展下,MEMS元件已成為智慧產品的主要核心。為降低企業投入MEMS開發時,因故有分析技術難以找出MEMS真正失效原因,iST集團-台灣宜特今(10/15)宣布,成功建構出MEMS G-Sensor的標準失效分析流程。此流程亦被許多公司實際採用,目前全台開發MEMS G-sensor的公司中,約達九成在iST宜特幫助下解決失效問題。

iST獨家研發的MEMS G-Sensor失效分析標準流程,更正式通過全球最具代表性,電子元件檢測失效分析技術研討會-ISTFA的認可,成為全台第一家且是唯一一家擁有MEMS研究團隊的實驗室。

iST觀察發現,許多公司欲了解MEMS元件的失效狀況時,由於對其結構的認知度、掌握度不夠,因此以傳統方式做開蓋(De-cap)觀察,容易造成元件汙染。

此外,iST進一步指出,因元件為懸浮結構,以外力移除時易產生毀損。兩造影響下,容易造成元件汙染和應力破壞,不但沒有找出真因,反而製造更多失效盲點。

為克服此問題,iST今年已成功開發出MEMS無污染的De-cap技術,結合無應力的元件移除技術,以非破壞方式保留結構原貌,避開機械應力和汙染產生的非真因失效。目前已幫助三十多家MEMS設計、製造與封裝企業,對症下藥地找出失效點並成功改善,搶攻市場先機。 
 
失效G-Sensor元件觀察影像 正常G-Sensor元件觀察影像 
  
iST集團營運長 林正德指出,2007年預見此市場需求後即投入研發,全面佈局MEMS等新興產品失效分析技術。這幾年在大量實務經驗深耕下,更於今年建立出MEMS標準失效分析流程。

关键字:独家

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2013/1015/article_1475.html
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