索尼传感器变形技术专利公布 改善边缘画质

2012-09-27 09:31:39来源: 新摄影

索尼传感器变形技术专利公布改善边缘画质

专利原理图

  索尼传感器变形技术专利现已公布,特许公开专利号No.2012-182194。该技术利用电磁、热胀冷缩、真空等外力,使传感器在一定范围内发生形变,以修正镜头像场弯曲,改善广角镜头边缘画质,同时可以减少镜片数量,缩小镜头体积。

  No.2012-182194号镜头专利详情:

  公开日期:2012年9月20日

  申请日期:2011年2月28日

  目前民用级别的相机大多使用平面传感器,广角镜头要在平面传感器上获得完美的成像,就需要尽量减少镜头像场弯曲,降低镜头边缘画质损失,为矫正这些不良成像现象,镜头结构往往会变得非常复杂。

  索尼此项技术将一块可变型图像传感器放置在一个带有内倾结构的基座上,利用电磁力、热胀冷缩、真空等技术可以在一定范围内让传感器向基座中心内凹,发生变形,以矫正广角条件下的像场弯曲现象,改善镜头边缘画质。失去外力后,还可以恢复成正常的平面传感器形状。

  不过目前还没看到索尼可变形传感器的相关技术专利,因此我们对这项技术的变形控制精度和耐用程度持保留态度。而且由于每一支镜头的像场弯曲程度存在个体差异,该技术不适用于可更换镜头相机,更可能应用于不可更换镜头相机。

关键字:索尼  传感器变形  技术专利

编辑:马悦 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2012/0927/article_1370.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
索尼
传感器变形
技术专利

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved