继TSMC之后,联电宣布CMOS-MEMS量产

2011-01-20 11:50:03来源: Digitimes

  晶圆代工厂联电投入微机电 (MEMS)技术开发已3年,19日宣布成功产出CMOS-MEMS感测芯片,预计2011年投入量产。

  联电CMOS-MEMS技术制造的麦克风元件已完成功能验证,讯噪比 (S/N ratio) 已可达到 56dBA 以上的水平,其性能极具国际竞争力,预计将于2011年上半年提供工程样品,接著便能进入量产。CMOS-MEMS加速度计的产品开发也己符合消费性电子产品之应用规格 (1g ~16g),其功能也达量产的目标。

  联电指出,除已与多家客户合作开发各样的MEMS芯片和高度集成的CMOS-MEMS产品,扩展微机电传感器于生活或环境监测之高阶应用之外,联电也以自身多样性的CMOS制程技术,提供微机电专用ASIC芯片之专工服务,以支持各种微机电应用。

  联电表示,MEMS技术开发是一项极大挑战,目前已有不错成果;客户MEMS麦克风元件已完成功能验证,讯噪比可达56dBA以上,预计今年上半年提供工程样品,随即可导入量产。

  联电MEMS加速度计产品开发也已符合消费性电子产品的应用规格,功能也达量产目标;此外,联电也与多家客户合作开发各样MEMS芯片产品,扩展微机电传感器在生活或环境监测的高阶应用。

  联电表示,随著MEMS传感器应用日益普及,MEMS专工服务需求急遽增加,联电未来将开放MEMS技术,提供产业及学术界开发新元件。

关键字:联电  CMOS  MEMS

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2011/0120/article_615.html
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