国家半导体开发出微细化、高精度的温度传感器

2010-02-24 18:43:42来源: 技术在线 关键字:ISSCC  温度传感器

      荷兰代尔夫特理工大学(TU Delft)教授Kofi Makinwa等的研究小组在2010年2月8日起举办的半导体国际会议ISSCC”上宣布,开发出了不用修正即可实现±0.2℃精度的温度传感器(演讲序号:17.4,温度范围为-55℃~125℃)。温度传感器由该大学与大型半导体温度传感器厂商美国国家半导体(National Semiconductor)共同开发而成,采用0.18μm的CMOS技术制造。

  TU Delft主要从事温度传感器的研究工作,此前主要研发普通的带隙型温度传感器,此次的产品为利用硅底板热扩散系数(thermal-diffusivity)的温度传感器。TU Delft在08年的ISSCC上发表过相同原理的温度传感器,不过当时的精度为±0.5℃。此次通过实现微细化及改进电路,提高了精度。

  一般情况下,半导体型温度传感器利用晶体管的基极-发射极电压与温度相关这一原理进行检测,而此次传感器的检测原理与其不同。采用了名为ETF(electrothermal filter)的滤波器。ETF由加热器及热电堆构成,在脉冲驱动加热器时,ETF可利用相隔一定距离的热电堆检测时间的推迟程度、即位相差。在CMOS技术的块状硅底板中,该位相差与温度呈线形比例关系,因此可作为温度传感器工作。

  另外,TU Delft在日前发布的CMOS基准振荡器上也采用了此次的温度传感器的基础部件ETF(参阅本站报道,演讲序号:4.1)。(记者:进藤 智则)

关键字:ISSCC  温度传感器

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2010/0224/article_404.html
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