国家半导体开发出微细化、高精度的温度传感器

      荷兰代尔夫特理工大学（TU Delft）教授Kofi Makinwa等的研究小组在2010年2月8日起举办的半导体国际会议“ISSCC”上宣布，开发出了不用修正即可实现±0.2℃精度的温度传感器（演讲序号：17.4，温度范围为-55℃～125℃）。温度传感器由该大学与大型半导体温度传感器厂商美国国家半导体（National Semiconductor）共同开发而成，采用0.18μm的CMOS技术制造。

　　TU Delft主要从事温度传感器的研究工作，此前主要研发普通的带隙型温度传感器，此次的产品为利用硅底板热扩散系数（thermal-diffusivity）的温度传感器。TU Delft在08年的ISSCC上发表过相同原理的温度传感器，不过当时的精度为±0.5℃。此次通过实现微细化及改进电路，提高了精度。

　　一般情况下，半导体型温度传感器利用晶体管的基极-发射极电压与温度相关这一原理进行检测，而此次传感器的检测原理与其不同。采用了名为ETF（electrothermal filter）的滤波器。ETF由加热器及热电堆构成，在脉冲驱动加热器时，ETF可利用相隔一定距离的热电堆检测时间的推迟程度、即位相差。在CMOS技术的块状硅底板中，该位相差与温度呈线形比例关系，因此可作为温度传感器工作。

　　另外，TU Delft在日前发布的CMOS基准振荡器上也采用了此次的温度传感器的基础部件ETF（参阅本站报道，演讲序号：4.1）。（记者：进藤 智则）