释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术

2009-05-06 14:03:51来源: 互联网
湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺,总部位于苏格兰的Point 35 Microstructures在SEMICON China期间推出了干法刻蚀模块与氧化物释放技术,该技术为MEMS器件设计师提供了更多的生产选择,同时带来了宽泛的制造工艺窗口,从而使良率得到了提升。

SVR-vHF氧化物释放模块结合现有的memsstar  SVR-Xe 牺牲性汽相释放模块,利用无水氢氟蒸汽(aHF)来去除牺牲氧化物,从而释放MEMS机械结构。SVR蚀刻方法可以完全地去除牺牲材料而不损害机械结构或导致黏附,它同时提供了高度的可选择性、可重复性和均匀性。SVR保留有干燥的表面,没有任何残留物或水汽,这也省去了包含在湿法工艺中的表面准备、引入酸、中和以及随后的干燥等步骤。

SVR与CMOS工艺和CMOS晶圆设施是兼容的,这使得MEMS器件可以像传统的集成电路一样在相同的设施和基板上进行生产,这也将适用于新类型的单片MEMS/CMOS 器件。SVR进一步的好处包括减少材料的使用和更低的浪费。

关键字:干法刻蚀  MEMS

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2009/0506/article_270.html
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