通过MEMS来改变面发光激光器的波长

2008-07-09 13:35:11来源: semi 关键字:波长  首页  反射膜  VCSEL  MEMS  元件  硅芯片  激光器  InP  产业

  据日经BP社报道,日本横河电机开发出可通过MEMS结构来改变面发光激光器VCSEL)的波长的技术,并在日前举行的“微机械/MEMS展”上进行了展示。展出元件中,通过金凸块接合技术层叠了基于磷化铟(InP)的VCSEL芯片、以及集成有用于改变波长的MEMS部件的硅芯片

  此次的元件在硅芯片上形成了带有凹面镜的多层反射膜,在该反射膜与VCSEL芯片发光部之间设置了间隙。波长由这一间隙的距离决定。由于间隙能够随着配备有多层反射膜的静电致动器发生微小变化,因此可利用这一点来控制波长。应用于光纤通信领域,输出普通的波长为1.55微米波段的激光时,能够在50nm的范围内改变其波长。该技术在实际应用时,在采用波长复用技术的光通信系统中,能够灵活地避开其它元件正在使用的波长,从而能够使通信容量得到实质性的扩大。

 

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编辑:孙树宾 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2008/0709/article_190.html
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