恩智浦-台积电研究中心将low-k材料应用于MEMS封装

2008-05-08 15:01:45来源: 中国半导体行业协会

  恩智浦-台积电研究中心(NXP-TSMC Research Center)开发出了把尖端CMOS LSI的布线中使用的材料用于MEMS元件封装的方法。

  此次的方法是在把可动部的某个MEMS元件封入空穴的封装工艺中,使用了尖端LSI布线层中使用的low-k材料。也可以说是把MEMS元件固有封装工艺向现有CMOS制造工艺靠近的技术。可使用台积电的生产线进行制造。

  将low-k材料应用于尖端LSI上,是为利用介电率低的特性,抑制层间的结合,从而实现高速传输的布线。而应用于MEMS封装时,则是利用多孔特性。

  

  具体来说,是将多孔特性应用于牺牲层蚀刻。一般来说,MEMS元件的封装是在MEMS部周围形成空穴。在空穴上设置盖子、以覆盖此前形成的牺牲层,在这一盖子上设置间隙,从而对牺牲层进行蚀刻。把多孔材料作为上述盖子使用的话,便可通过气相蚀刻除去牺牲层。进而在上面进行非多孔材料的成膜,实现气密封装。

  气相蚀刻过程中使用HF,多孔材料的蚀刻速度仅0.14nm/分。因此,牺牲层的二氧化硅对多孔材料具有充分的选择性。例如,多孔的密度仅有7%的话,气密封

  装材料将无法进入空穴内部。另外,此次使用的low-k材料为美国应用材料(Applied Materials)的“Black Diamond”。

  该公司计划把此次的封装技术最先应用于硅振荡器的封装。已经面向RF电路开发了硅振荡器,并在07年12月的“2007 IEDM”上做了发布。

关键字:MEMS  low-k  台积电  材料应用  蚀刻  封装技术  多孔材料  LSI  元件

编辑:孙树宾 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2008/0508/article_115.html
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