NXP-TSMC研究中心开发出使用低k材料的MEMS封装方法

2008-05-08 14:57:13来源: 半导体国际

      据日经BP社报道,恩智浦-台积电研究中心(NXP-TSMC Research Center)近日开发出了把尖端CMOS LSI的布线中使用的材料用于MEMS元件封装方法。该方法在把可动部的某个MEMS元件封入空穴的封装工艺中,使用了尖端LSI布线层中使用的low-k材料,从而把MEMS元件固有封装工艺向现有CMOS制造工艺靠近的技术。  

      将low-k材料应用于尖端LSI上,利用介电率低的特性,抑制层间的结合,从而实现高速传输的布线。而应用于MEMS封装时,则是利用多孔特性。具体来说,是将多孔特性应用于牺牲层蚀刻。MEMS元件的封装是在MEMS部周围形成空穴。在空穴上设置盖子、以覆盖此前形成的牺牲层,在这一盖子上设置间隙,从而对牺牲层进行蚀刻。把多孔材料作为上述盖子使用的话,便可通过气相蚀刻除去牺牲层,进而在上面进行非多孔材料的成膜,实现气密封装。工艺过程可使用台积电的生产线实现。   

      气相蚀刻过程中使用HF,多孔材料的蚀刻速度仅0.14nm/分。因此,牺牲层的二氧化硅对多孔材料具有充分的选择性。例如,多孔的密度仅有7%的话,气密封装材料将无法进入空穴内部。另外,此 次使用的low-k材料为美国应用材料(Applied Materials)的“Black Diamond”。   

      该公司计划把此次的封装技术最先应用于硅振荡器的封装。

关键字:研究中心  材料  封装  方法

编辑:孙树宾 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2008/0508/article_114.html
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