IEDM的初体验

2008-05-05 16:19:59来源: 半导体国际

  历史长达53年的IEDM(International Electron Devices Meeting)是IEEE旗下的王牌会议之一。IEDM的召开时间固定在每年12月的第二个星期,会议地点则在美国华盛顿特区和旧金山市之间轮换。业界的各个研究单位,包括大公司的研发部门、独立研究机构及大学的相关小组,通常会积极地在IEDM上报道半导体及电子器件领域的最新进展。IEDM讨论的议题十分广泛,涵盖制造、设计、物理和建模等各个方面,从最先进的CMOS工艺到Memory和显示技术,从化合物半导体到纳米器件,从MEMS到智能电源等,不一而足。

  IEDM影响力巨大,在业界的权威性毋庸置疑。IEDM论文数量时常受到关注,因为它很大程度上反映出一个研究单位在那一年的活跃程度和实力地位。以2004年为例,论文发表数名列前茅的两家公司是三星和IBM,三星在2000年之后籍由逆势扩张政策迅速崛起,排名第一在情理之中,而IBM则是老牌的研究大户,Intel只位列第五,与其地位稍稍不符,到非实力不济,大概与其不事张扬的内部政策有关系。在独立研究机构中领先的是法国的CEA-LETI和比利时的IMEC,合纵连横

  是欧洲研究中心的拿手好戏,在当今业界技术联盟满天飞的大势之下,它们想不出头都难。最活跃的大学是新加坡国立和美国的Texas大学 Austin分校。值得注意的是,新竹交大和TSMC各贡献4.5篇论文,表现相当抢眼。

  

  

  由于受国内半导体产业发展水平的限制,长期以来,IEDM都与我们无缘。直到2004年,50岁的IEDM才第一次听到来自中国大陆的声音。中科院微系统所的李昕欣研究员、清华大学的任天令教授和SMIC的S. Yang博士,分别代表产学研三界介绍其研究成果,向全球的同行们展示了国内在半导体技术上的长足进步。IEDM的初体验是如此的甜蜜而圆满,让我们来欣赏一下他们的杰作。

  微系统所的研究人员将STI(浅槽隔离)技术加以变化后运用到单晶圆MEMS的制作上,发展出一种沟槽-侧墙(Trench-Sidewall)技术。其主要步骤是先在Si晶圆上形成浅槽SiO2隔离层,接着腐蚀晶圆的背面直到露出SiO2隔离层,然后在晶圆表面进行选择性硼扩散并刻蚀形成沟槽,最后利用硼在外露的沟槽侧墙上自发扩散,就可以将压阻/电容式传感器和静电制动器集成到沟槽侧墙。这种技术被成功地应用到悬臂式加速度计的制作上,获得的沟槽侧墙具有良好的电性能,加速度感应的测量结果和静电自检测结果均符合设计要求。

  清华大学的研究思路与微系统所有异曲同工之妙。他们将铁电薄膜与Si基MEMS巧妙结合,利用压电效应设计并制备出性能优良、高可靠性的超声波微话筒,其结构与常规话筒大同小异。而且由于存在压电效应的逆效应,这种微话筒同时还可以当作微喇叭使用。该项技术方法的关键是制备高平整度和高质量的PZT薄膜。清华大学的师生们还展望了这种微型声学设备在超声波领域的广阔应用前景,比如汽车防撞系统,直升飞机的安全高度监测仪,移动通讯设备的超声感应与定位等。他山之石,可以攻玉,将IC技术巧妙地运用到MEMS中,中科院和清华大学的这两个研究小组以其新颖的创意引起关注。

  SMIC的工程师们没有象其它公司那样热衷于讨论当时最新的制造技术如65nm工艺等。他们从有效成品率学习方法论的角度,重点介绍SMIC如何从无到有、迅速起步,以及怎样有效地缩短量产所需的学习周期并控制生产成本,展示了SMIC在90nm工艺、铜互连、MIM电容及电感等方面的进展与实力。其核心是不求最贵(新技术),但求最好(适用),强调以客户为导向进行技术革新,在大量的技术文章中显得与众不同。

  但是我们的IEDM之路并没有因为这次成功的初体验而变得一帆风顺,IEDM 2005再次令人遗憾。IEDM 2006即将于12月在旧金山召开,结果会如何呢?翘首以待吧。

 

关键字:IEDM  压电效应  压阻  CEA-LETI  晶圆表面  声学设备  TSMC  初体验

编辑:孙树宾 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2008/0505/article_98.html
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