英特尔在东京纳米技术国际学会讨论MEMS微细化

2008-05-05 16:47:55来源: 半导体国际 关键字:MEMS  微细化  英特尔  纳米技术  元件  Rao  LSI  翘曲  制造工艺  光开关

  据日经BP社报道,英特尔在东京召开的纳米技术国际学会“4TH International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation(INC4)”的“More than Moore”会议上,英特尔院士技术与制造部分析与微系统技术总监Valluri R Rao发表了题为“New paradigms of scaling for MEMSapplication”的演讲。  

  一直在INTEL公司从事MEMS领域研究的Rao,此次的演讲内容与MEMS的微细化有关。但他没有明确介绍英特尔在MEMS等方面的方针。不仅是英特尔,只要是着手LSI的厂商,将MEMS纳入业务战略都是大势所趋。在LSI领域,既然微细化一直被看作是经济性和技术性发展的动力,则LSI厂商研究“MEMS微细化”可谓理所应当。MEMS可以采用与LSI相同的制造工艺,通过批量处理,提高单位成本性能。但是,对于需处理力和光等物理量的MEMS而言,一般来说,微细化是不利的,或者说在某些用途并不必要,因此,主张微细化研究的意见并不多。   

  英特尔举例介绍

  了MEMS元件微细化的限制因素。还介绍了基于MEMS的机械开关(RF MEMS等)、光开关(光纤通信的路径切换元件等)。由于所有元件都具有机械结构,因此,随着物理距离的接近,分子力将发生作用。而且电磁噪声也将产生影响。这些会成为微细化的限制因素。在光开关中,波长也会限制微细化。如上所述,微细化的限制因素是随着MEMS元件涉及的领域(电子、热、光等)而变化的。   

  Rao还展示了利用普通悬臂梁的MEMS结构开关,就制造工艺在元件级别对微细化的限制进行了说明。在梁的成膜工序中,随着应力的产生,梁会出现翘曲。其原因在于工序中先行贴附的下层膜被加热的时间更长,使膜的上层和下层特性产生了变化。Rao就悬臂梁长度,介绍了上述制造工艺特性对微细化产生的影响。例如梁越短,翘曲越小。

 

关键字:MEMS  微细化  英特尔  纳米技术  元件  Rao  LSI  翘曲  制造工艺  光开关

编辑:孙树宾 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/MEMS/2008/0505/article_103.html
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