Fairchild 的800V SuperFET II MOSFET提供最低的导通电阻

2015-03-10 17:47:24来源: EEWORLD 关键字:MOSFET  Fairchild  SuperFET
    全新的 SuperFET MOSET 系列将最低的导通电阻 (Rdson)、最低的输出电容 (Coss) 和广泛的可选封装相结合,为设计师提高灵活性.
 
 
    美国加州圣何塞 – 2015 年 3 月 10 日— 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻 (Rdson) 和输出电容 (Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要 600V/650V 以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性,同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。
 
    800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性,加上出色的效率和热特性,使其成为各种应用的理想之选。同时,多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性,在尺寸受限的设计中尤为如此。该系列的关键应用包括 LED 照明、LED 电视和家庭影院音响设备的电源、电源适配器、服务器、工业电源和辅助电源及微型太阳能逆变器。
 
    “借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列,制造商可提高产品的效率和可靠性。由于优越的开关性能和低导通电阻,此系列的效率明显优于最接近的竞争产品,”Fairchild 的首席技术市场工程师 Wonhwa Lee 说。“新系列采用最新的超级结技术,实现小形状因数及更胜以往的高效率,其耐用的内置二极管在高 dv/dt 条件下可提高工业桥式电路的可靠性。” 
 
    Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范围为 4.3 欧姆至业内最低 60 毫欧的26个器件(均以各种标准封装提供)组成,为设计师在针对特定应用采用最佳器件中提供更多选择和灵活性。例如,FCD850N80Z 是该系列的主要成员,将 DPAK 中异常低的850 毫欧 Rdson(最大值)与比主要竞争产品低 6~11% 的Rdson (最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相结合,使其成为需要低导通电阻和尺寸受限的 LED 照明应用的理想之选。

Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成员包括:
 

关键字:MOSFET  Fairchild  SuperFET

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/LED/2015/0310/article_11807.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:英飞凌推出具有高可靠性的LITIX™ Basic LED驱动器系列
下一篇:图案化基板如何提高LED光提取效率?

论坛活动 E手掌握
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
MOSFET
Fairchild
SuperFET

小广播

热门关键词

独家专题更多

东芝在线展会——芯科技智社会创未来
东芝在线展会——芯科技智社会创未来
2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源

颜工专栏

LED专区

现任华润矽威科技(上海)有限公司市场部经理/高工,上海市传感技术学会理事、副秘书长。

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved