Fairchild 的800V SuperFET II MOSFET提供最低的导通电阻

2015-03-10编辑:刘东丽 关键字:MOSFET  Fairchild  SuperFET
    全新的 SuperFET MOSET 系列将最低的导通电阻 (Rdson)、最低的输出电容 (Coss) 和广泛的可选封装相结合,为设计师提高灵活性.
 
 
    美国加州圣何塞 – 2015 年 3 月 10 日— 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻 (Rdson) 和输出电容 (Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要 600V/650V 以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性,同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。
 
    800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性,加上出色的效率和热特性,使其成为各种应用的理想之选。同时,多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性,在尺寸受限的设计中尤为如此。该系列的关键应用包括 LED 照明、LED 电视和家庭影院音响设备的电源、电源适配器、服务器、工业电源和辅助电源及微型太阳能逆变器。
 
    “借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列,制造商可提高产品的效率和可靠性。由于优越的开关性能和低导通电阻,此系列的效率明显优于最接近的竞争产品,”Fairchild 的首席技术市场工程师 Wonhwa Lee 说。“新系列采用最新的超级结技术,实现小形状因数及更胜以往的高效率,其耐用的内置二极管在高 dv/dt 条件下可提高工业桥式电路的可靠性。” 
 
    Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范围为 4.3 欧姆至业内最低 60 毫欧的26个器件(均以各种标准封装提供)组成,为设计师在针对特定应用采用最佳器件中提供更多选择和灵活性。例如,FCD850N80Z 是该系列的主要成员,将 DPAK 中异常低的850 毫欧 Rdson(最大值)与比主要竞争产品低 6~11% 的Rdson (最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相结合,使其成为需要低导通电阻和尺寸受限的 LED 照明应用的理想之选。

Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成员包括:
 

关键字:MOSFET  Fairchild  SuperFET

来源: EEWORLD 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/LED/2015/0310/article_11807.html
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现任华润矽威科技(上海)有限公司市场部经理/高工,上海市传感技术学会理事、副秘书长。

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