Xilinx投片首个ASIC级可编程架构UltraScale之行业首款20nm器件

2013-07-10 11:03:19来源: EEWORLD 关键字:Xilinx  ASIC

    2013 年 7 月 10 日,All Programmable FPGA、SoC 和 3D IC 的全球领先企业赛灵思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )今天宣布,延续 28nm 工艺一系列行业创新,在 20nm 工艺节点再次推出两大行业第一:投片半导体行业首款 20nm 器件,也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款 20nm All Programmable 器件;发布行业第一个 ASIC可编程架构 UltraScale™。这些具有里程碑意义的行业第一发布,延续了赛灵思在 28nm领域投片第一款器件以及在 All Programmable SoC、All Programmable 3D IC 和 SoC 增强型设计套件上所实现的一系列行业第一的优势。

 

    赛灵思公司可编程平台产品部高级副总裁 Victor Peng 指出:“我们制定了业界最激进的 20nm 投产计划,我相信,和最接近的竞争产品相比,赛灵思在在高端器件上远远领先至少一年的时间,而在中端器件上则领先至少半年左右。当你结合采用台积(TSMC)技术和我们的 UltraScale 架构,并通过我们的 Vivado® 设计套件进行协同优化,我们相信将比竞争对手提前一年实现 1.5 至 2 倍的系统级性能和可编程系统集成 ——相当于领先竞争产品整整一代。”

            赛灵思公司全球高级副总裁,亚太区执行总裁,汤立人 (Vincent Tong)   

 

 

    赛灵思同台积合作,就像 28HPL(高性能低功耗)开发过程一样,把高端 FPGA 的要求注入 20SoC 开发工艺之中。赛灵思和台积公司在 28nm 工艺节点上的通力协作,让赛灵思成为行业第一个 28nm All Programmable FPGA、SoC 和 3D IC 器件的推出者,把赛灵思推上了性价比和功耗、可编程系统集成以及降低材料清单(BOM)成本方面领先一代的地位。现在,赛灵思已经将这种行之有效的行业领先合作模式从 28nm 扩展到 20nm,推出了行业首个 ASIC 级可编程架构 — UltraScale。

    最新开发的 UltraScale 架构包括 20nm 平面晶体管结构 (planar)工艺和 16nm 乃至FinFET 晶体管技术扩展,包括单芯片(monolithic)和 3D IC。它不仅能解决整体系统吞吐量扩展限制的问题和时延问题,还能直接应对先进节点芯片性能方面的最大瓶颈问题— 互联。

    现在,人们需要采用一种创新型的架构来管理数百 Gbps 的系统性能,以实现全线速下的智能处理能力,并扩展至 Tb 级性能和每秒 10 亿次浮点运算水平。我们需要的不光是增加每个晶体管或系统模块的性能,或者扩展系统中模块的数量,而是要从根本上提升通信、关键路径和互联,以满足海量数据流和实时包、DSP 和/或图形处理的要求。

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关键字:Xilinx  ASIC

编辑:eric_wang 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/FPGA/2013/0710/article_3362.html
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