基于CPLD的双口模块设计

2012-08-04 12:48:16来源: 现代电子技术 关键字:Multibus总线  复杂可编程逻辑器件  双口RAM
   

存储器的概念
    双口,既可以通过Multibus总线访问的存储器,又可以通过局部总线访问的存储器。双口RAM为硬件双口芯片,有两组独立的数据线、地址线和控制线。一组总线与主模块的局部数据、地址总线相连,另一组总线与Multibus数据、地址总线相连。主模块可以像读写局部RAM一样访问双口RAM,多总线上其他主设备也可通过该主模块的总线接口对双口RAM进行读写。两条数据总线也可以同时对某一存储单元进行访问。双口模块功能框图如图1所示。

处理器系统中,为提高系统的吞吐率,避免因多个微处理器和存储器、I/O接口共用一组系统总线频繁存取时,造成系统“阻塞”,建立局部总线。局部总线有两个基本组件,一个是基板,一个是扩充模块。基板是指主控设备,扩充模块的作用主要是给基板提供专用功能。通过局部总线可以完成很大一部分存储器读/写操作和输入/输出操作。这样,只有在访问公共存储器和公共输入/输出接口时,采用系统总线。于是,避免了“堵塞”现象,而且还提供了各个子系统并行工作的条件。
    而两路总线在一个系统中同时工作时,主模块对扩充模块可以从Multibus总线和局部总线两路访问,到底哪路总线访问扩充设备,这就是我们需要考虑的两路总线的优先裁决问题。
    早期的模块中通过GAL器件编码、和多个触发器多总线仲裁电路。而应用中,对存储器的双口访问存在竞争现象。那么怎么来解决双口竞争问题呢?首先我们采用硬件双口芯片RAM,它有两组独立的数据线、地址线和控制线。一组总线与主模块的局部数据、地址总线相连,另一组总线与Multibus数据、地址总线相连,再就是采用CPLD技术实现内部逻辑,主模块可以像读写局部RAM一样访问双口RAM,多总线上其他主设备也可通过该主模块的总线接口对双口RAM进行读写。两条数据总线也可以同时对某一存储单元进行访问,而不产生竞争现象。

2 设计实现
    内部时序及逻辑控制电路主要由CPLD器件编程实现。采用的CPLD芯片为ALTERA公司的EPM7256SRI208-10芯片,其最高运行频率为227.3 MHz。采用MAX+PLUSII 10.0软件工具开发。设计完成板内地址总线、数据总线的控制信号;双口RAM的读写访问、片选信号、逻辑延迟应答信号等。设计输入完成后,进行整体的编译和逻辑仿真,然后进行转换、延时仿真生成配置文件,最后下载至CPLD器件,完成结构功能配置,实现其硬件功能。其中CLK时钟端口采用了常时钟信号/CCLK。/CCU<是一个10MHz时钟,在应答生成逻辑上使用。
    双口存储器可以通过Multibus总线和局部总线两路总线访问。由于采用硬件双口芯片,避免了两路总线同时在系统中工作时的竞争冲突问题。还可以在不同的用户环境中,只需更改跨接线的配置就可以满足,不需再重新编码,更改芯片配置。
    在本设计中采用的双口存储器芯片为RAMIDT7027S25PF,是IDT公司研制的32k×16位的双口静态RAM。计算机主模块可以通过Local bus接口或Multibus接口对双口RAM进行读写。两组数据总线也可以同时对某一存储单元进行访问,而不产生竞争现象。设计实现如图2所示。

低电平。这样,就能够保证对应于BUSY=H的端口能进行正常存取,对应于BUSY=L的端口不能存取,从而避免了两个CPU同时竞争地址资源而引发错误的可能。具体逻辑和电状态关系见表1。

关键字:Multibus总线  复杂可编程逻辑器件  双口RAM

编辑:北极风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/FPGA/2012/0804/article_3090.html
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北京航空航天大学教授,国内最早从事复杂数字逻辑和嵌入式系统设计的专家。

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