3D Tri-Gate工艺将引发现代电子产业革新

2012-04-22 16:21:29来源: 21IC 关键字:工艺  将引发  引发  发现

3D晶体管技术革新现代电子产业

    从前面关于3D Tri-Gate工艺的介绍来看,这一创新技术给桌面处理器带来了无“限”可能,实际上,Tri-Gate工艺还将引发现代电子产业的革新。

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Intel将在以上五家晶圆厂采用22nm Tri-Gate制造工艺

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3D Tri-Gate工艺为移动设备带来更广阔发展空间

晶体管是现代电子的基石,3D Tri-Gate工艺一举改变了沿用了50多年的晶体管设计,它不仅延续了摩尔定律,还将为移动处理器芯片扫清体积和功耗上的障碍,从而在为移动计算设备提供媲美桌面处理器性能的同时,进一步降低设备功耗,这在电池技术发展缓慢的当前具有非凡的意义。

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晶体管制造工艺发展

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Intel计划推出14nm制程的Atom处理器

Intel目前正在进入移动处理芯片市场,借助3D Tri-Gate工艺,Intel可以推出更低功耗的Atom处理器(关于Atom处理器发展历史可参考文章:终究能否逆天!Intel Atom全面回顾),从Intel Atom处理器路线图上我们看到,Intel计划于2014年推出14nm的Atom,3D Tri-Gate工艺则在2013年就登陆22nm的Atom了。在3D Tri-Gate新工艺帮助下,Intel将能推出性能更强、功耗更低的SoC芯片,一切顺利的话,智能手机和平板机市场的格局将会全面改变。

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编辑:eeleader 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/FPGA/2012/0422/article_2916.html
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北京航空航天大学教授,国内最早从事复杂数字逻辑和嵌入式系统设计的专家。

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