一种反激变换器的RCD吸收回路设计与实现

2010-10-28 18:33:39来源: 维库开发网

  当MOSFET关断时,就会有一个高压尖刺出现在其漏极上。这是由于主变压器的漏感和MOSFET输出电容谐振造成的,在漏极上过高的电压可能会击穿MOSFET,为此就必须增加一个附加电路来钳制这个电压。在此技术范围,我们介绍反激变换器的RCD吸收回路。

  一、简介

  反激变换器是结构最简单的电路拓扑之一。它直接从一个Buck ̄Boost变换器放一个电感与之耦合而成,也就是一个加入气隙的变压器。当主功率开关导通时,能量存在变压器中,在开关关断时,又将能量送到输出级。由于在主功率开关导通时变压器需要储能,因而磁心要加气隙。由于反激式需要的元器件很少,因而是中小功率电源常用的电路拓扑。例如:充电器、适配器及DVD播放机等。

  图1反激变换器的电路

  (a)具有寄生元器件的反激变换器;(b)CCM方式工作波形;(c)DCM方式工作波形

  图1 给出反激变换器在连续导通型工作(CCM)和断续导通型工作(DCM)的几个寄生元器件。如一次级间漏感、MOSFET的输出电容、二次侧二极管的结电容等。当MOSFET关断时,一次电流Id给MOSFET的Coss充电,此电压力加在Coss上,Vds超过输入电压,加上了折返的输出电压VIN+Nv。,二次侧二极管导通。电感Lm上的电压钳在Nvo,也就是LIK1与Coss之间的高频谐振及高浪涌,在CCM工作模式下,二次侧二极管一直导通,直到MOSFET再次导通。因此当MOSFET导通时,二次侧二极管的反转恢复电流要叠加到一次电流上。于是,在一次就有一个大的浪涌出现在导通时,此即意味着对于DCM工作情况,因二次侧电流在一个开关周期结束之前已经干涸。所以Lm与Coss之前才有一个谐振。

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关键字:反激变换器  RCD吸收回路  MOSFET

编辑:小甘 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/FPGA/2010/1028/article_1397.html
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